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基于CMOS工艺的超宽带低噪声放大器设计

摘要第1-7页
Abstract第7-10页
第1章 绪论第10-15页
   ·课题研究背景第10-11页
   ·国内外研究现状第11-14页
   ·本文所做的主要工作第14-15页
第2章 RF CMOS相关理论及器件模型第15-26页
   ·接收机射频前端的系统结构第15-17页
   ·低噪声放大器性能指标第17-20页
     ·S参数第17-18页
     ·噪声系数和灵敏度第18-20页
   ·射频集成电路元器件第20-25页
     ·电阻第20-21页
     ·电容第21-22页
     ·电感第22-24页
     ·MOSFET高频噪声模型第24-25页
     ·BSIM3V3模型第25页
   ·本章小结第25-26页
第3章 超宽带低噪声放大器的电路设计第26-43页
   ·常见的输入匹配电路第26-28页
   ·滤波器设计第28-29页
   ·源极去耦结构第29-31页
   ·共源共栅结构第31-34页
   ·LNA噪声优化技术第34-40页
     ·二端口噪声优化理论第34-36页
     ·基于功耗约束的噪声优化理论第36-40页
   ·电容耦合负载设计第40-42页
   ·本章小结第42-43页
第4章 电路的仿真结果分析第43-50页
   ·低噪声放大器的电路图第43-44页
   ·仿真结果分析第44-46页
   ·线性度分析第46-49页
   ·本章小结第49-50页
结论第50-51页
致谢第51-52页
参考文献第52-56页
附录第56-58页
攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果第58-59页

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