| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| 1.1 PNA芯片的研究及应用 | 第8-9页 |
| 1.2 PNA芯片制备中的光敏体系 | 第9-10页 |
| 1.3 文章结构 | 第10-11页 |
| 第二章 光敏体系研究的实验方法及光敏剂的合成 | 第11-20页 |
| 2.1 光敏体系研究的软硬件简介 | 第11-14页 |
| 2.1.1 虚拟掩模光刻系统 | 第11-13页 |
| 2.1.2 虚拟掩模光刻系统的控制软件 | 第13-14页 |
| 2.2 玻片修饰 | 第14-15页 |
| 2.3 实验结果的检测 | 第15-16页 |
| 2.4 芘及芘的衍生物 | 第16-19页 |
| 2.4.1 芘的特性及用途 | 第17-18页 |
| 2.4.2 芘的衍生物的合成路线 | 第18页 |
| 2.4.3 芘的衍生物的合成步骤 | 第18-19页 |
| 2.5 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 光脱保护过程中光敏剂性能的比较 | 第20-29页 |
| 3.1 光敏剂作用机理 | 第20-25页 |
| 3.1.1 2-异丙基硫杂蒽酮(ITX) | 第20-21页 |
| 3.1.2 芘及芘的衍生物 | 第21-22页 |
| 3.1.3 光脱保护效率 | 第22-23页 |
| 3.1.4 芘作为光敏剂的工作机理 | 第23-25页 |
| 3.2 光敏剂2-异丙基硫杂蒽酮(ITX)与芘的光脱保护对比实验 | 第25-27页 |
| 3.3 芘及其衍生物N-芘甲基乙酰胺的光脱保护 | 第27-28页 |
| 3.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 光脱保护过程中的光敏溶剂体系的选择 | 第29-43页 |
| 4.1 ITX充当光脱保护反应中的光敏剂 | 第29-35页 |
| 4.1.1 反应溶剂DMF和Dioxane与ITX的曝光浓度测试 | 第29-33页 |
| 4.1.2 ITX的乙腈溶液中的光脱保护 | 第33-34页 |
| 4.1.3 紫外光波长对光脱保护的影响 | 第34-35页 |
| 4.2 三乙胺充当光脱保护反应中的添加剂 | 第35-36页 |
| 4.2.1 乙腈中加入微量三乙胺 | 第35-36页 |
| 4.2.2 加入微量三乙胺曝光的对比 | 第36页 |
| 4.3 芘及其衍生物作为光脱保护的光敏剂 | 第36-41页 |
| 4.3.1 芘充当光脱保护反应中的光敏剂 | 第36-39页 |
| 4.3.2 芘衍生物充当光脱保护反应光敏剂 | 第39-41页 |
| 4.4 含芘类光敏剂的光敏溶液优化组合 | 第41-42页 |
| 4.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 总结与展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-55页 |
| 攻读学位期间的主要研究成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |