| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第14-18页 |
| 1.1 研究工作的背景及意义 | 第14-15页 |
| 1.2 前人d~5和d~7离子研究现状和本论文研究内容 | 第15-16页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第16页 |
| 1.4 本文的结构安排 | 第16-18页 |
| 第二章 晶体场和电子顺磁共振理论 | 第18-37页 |
| 2.1 晶体场理论 | 第18-34页 |
| 2.1.1 基本假设 | 第19页 |
| 2.1.2 晶体场中体系的哈密顿量 | 第19-20页 |
| 2.1.3 晶场势能 | 第20-26页 |
| 2.1.4 晶体场耦合方案 | 第26-27页 |
| 2.1.5 晶体场模型 | 第27-28页 |
| 2.1.6 能量矩阵及矩阵元的计算 | 第28-31页 |
| 2.1.7 晶体中d~N离子的共价性 | 第31-33页 |
| 2.1.8 Kramers简并和Jahn-Teller效应 | 第33-34页 |
| 2.2 电子顺磁共振理论 | 第34-36页 |
| 2.2.1 电子顺磁共振的基本原理 | 第34-35页 |
| 2.2.2 自旋哈密顿参量简介 | 第35页 |
| 2.2.3 电子顺磁共振谱分析的自旋哈密顿理论 | 第35-36页 |
| 2.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 d~5离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第37-61页 |
| 3.1 5~d组态的晶场能级 | 第37-38页 |
| 3.1.1 高自旋3d~5组态的晶场能级 | 第37-38页 |
| 3.1.2 低自旋 4d~5组态的晶场能级 | 第38页 |
| 3.2 立方四面体中3d~5离子自旋哈密顿参量微扰公式的建立 | 第38-41页 |
| 3.2.1 基于纯晶场机制的公式 | 第38-40页 |
| 3.2.2 考虑电荷转移的改进公式 | 第40-41页 |
| 3.3 三角畸变四面体中 3d~5离子自旋哈密顿参量微扰公式的建立 | 第41-43页 |
| 3.3.1 基于纯晶场机制的公式 | 第41-43页 |
| 3.3.2 考虑电荷转移的改进公式 | 第43页 |
| 3.4 斜方(正交)畸变八面体中 4d~5离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第43-45页 |
| 3.5 应用 | 第45-60页 |
| 3.5.1 ZnX(X=S,Se,Te)和CdTe中Cr~+自旋哈密顿参量的理论研究 | 第45-49页 |
| 3.5.2 CdX(X=S,Se,Te)中Fe~(3+)的自旋哈密顿参量和三角畸变研究 | 第49-53页 |
| 3.5.3 AgX(X=Cl,Br)中斜方Ru~(3+)中心自旋哈密顿参量和局部畸变研究 | 第53-60页 |
| 3.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 d~7离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第61-80页 |
| 4.1 d~7组态的晶场能级 | 第61页 |
| 4.1.1 高自旋 3d~7组态的晶场能级 | 第61页 |
| 4.1.2 低自旋 4d~7组态的晶场能级 | 第61页 |
| 4.2 三角畸变八面体中3d~7离子自旋哈密顿参量的理论公式 | 第61-63页 |
| 4.3 斜方(正交)伸长八面体中4d~7离子自旋哈密顿参量的理论公式 | 第63-65页 |
| 4.4 四角压缩八面体中4d~7离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第65-66页 |
| 4.5 应用 | 第66-79页 |
| 4.5.1 MgCl_2中三角Co~(2+)中心自旋哈密顿参量和角度畸变研究 | 第66-70页 |
| 4.5.2 AgCl:Rh~(2+)中心R4和R5的局部结构和自旋哈密顿参量研究 | 第70-77页 |
| 4.5.3 NH_4Cl中四角Rh~(2+)中心自旋哈密顿参量的理论研究 | 第77-79页 |
| 4.6 本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第80-91页 |
| 5.1 八面体中d~9离子的能级结构 | 第80页 |
| 5.2 八面体中d~9离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第80-82页 |
| 5.2.1 四角伸长八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第80-81页 |
| 5.2.2 正交压缩八面体中 4d~9离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第81-82页 |
| 5.3 应用 | 第82-90页 |
| 5.3.1 MO_2(M=Te和Ge)和(Tl_(0.5)Pb_(0.5))Sr_2CaCu_2O7)中Cu~(2+)的EPR研究 | 第82-88页 |
| 5.3.2 NH4Cl中正交Rh0中心自旋哈密顿参量的理论研究 | 第88-90页 |
| 5.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 第六章 总结与展望 | 第91-94页 |
| 6.1 全文总结 | 第91-92页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-113页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第113-114页 |
