| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高压研究现状 | 第11-17页 |
| 1.2 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体的高压研究现状 | 第17-21页 |
| 1.3 原位高压电输运性质研究的意义 | 第21-25页 |
| 1.4 论文的选题目的及意义 | 第25页 |
| 1.5 论文各章节的主要内容 | 第25-27页 |
| 第二章 高压电输运与XRD试验技术 | 第27-39页 |
| 2.1 原位高压电学测量技术 | 第27-36页 |
| 2.1.1 直流电阻率的测量 | 第27-28页 |
| 2.1.2 高压Hall效应测量 | 第28-30页 |
| 2.1.3 交流阻抗谱的测量 | 第30-32页 |
| 2.1.4 变温电阻率和变温阻抗谱测量 | 第32-33页 |
| 2.1.5 电学测量微电路的集成 | 第33-36页 |
| 2.2 高压XRD实验技术 | 第36-39页 |
| 第三章 高压下AlAs的结构和电输运性质研究 | 第39-61页 |
| 3.1 Al As的概况及高压研究背景 | 第39-43页 |
| 3.2 Al As的高压结构和电输运性质研究 | 第43-59页 |
| 3.2.1 AlAs高压交流阻抗谱测量 | 第43-47页 |
| 3.2.2 AlAs高压变温阻抗谱测量 | 第47-49页 |
| 3.2.3 AlAs的高压XRD研究 | 第49-55页 |
| 3.2.4 AlAs的第一性原理计算 | 第55-59页 |
| 3.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 高压下SnSe和GeTe的结构和电输运性质研究 | 第61-91页 |
| 4.1 Sn Se的结构和电输运性质研究 | 第61-77页 |
| 4.1.1 SnSe的概况及高压研究背景 | 第61-64页 |
| 4.1.2 SnSe的原位高压XRD研究 | 第64-68页 |
| 4.1.3 SnSe的高压电输运性质研究 | 第68-72页 |
| 4.1.4 SnSe的第一性原理计算 | 第72-75页 |
| 4.1.5 SnSe的TEM研究 | 第75-77页 |
| 4.2 Ge Te的高压电输运性质研究 | 第77-89页 |
| 4.2.1 GeTe的概况及高压研究背景 | 第77-81页 |
| 4.2.2 高压下GeTe的变温电阻率测量 | 第81-83页 |
| 4.2.3 GeTe的高压Hall效应测量 | 第83-85页 |
| 4.2.4 GeTe的第一性原理计算 | 第85-89页 |
| 4.3 本章小结 | 第89-91页 |
| 第五章 总结与展望 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-111页 |
| 作者简介及科研成果 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113页 |