| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 引言 | 第9-14页 |
| 1.1 硅基纳米材料的发展历史及其前景 | 第9-11页 |
| 1.2 脉冲激光烧蚀技术的现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本工作的研究内容及其意义 | 第13-14页 |
| 第2章 脉冲激光烧蚀基本原理和实验方法 | 第14-18页 |
| 2.1 脉冲激光烧蚀基本工作原理和过程 | 第14-15页 |
| 2.2 实验设备和过程 | 第15-18页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第15-16页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第16页 |
| 2.2.3 样品检测及其表征 | 第16-18页 |
| 第3章 纳米 Si 晶粒在不同空间位置上的电流信号研究 | 第18-30页 |
| 3.1 实验装置 | 第19页 |
| 3.2 典型条件下羽辉电流信号分析 | 第19-21页 |
| 3.3 烧蚀粒子的传输模型 | 第21-23页 |
| 3.4 不同气压下纳米 Si 晶粒的电流信号研究 | 第23-25页 |
| 3.5 不同轴向位置的纳米 Si 晶粒的电流信号研究 | 第25-27页 |
| 3.6 空间位置上的羽辉的电流信号研究 | 第27-30页 |
| 第4章 引入外加散射电场对纳米 Si 晶粒空间的分布的验证 | 第30-47页 |
| 4.1 引入散射电场的实验装置 | 第30-31页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第31-42页 |
| 4.2.1 未加条件下所制备的样品结果 | 第31-34页 |
| 4.2.2 加电极未加电压时的样品的实验结果 | 第34-36页 |
| 4.2.3 加电压时的样品的实验结果 | 第36-37页 |
| 4.2.4 实验数据对比及分析 | 第37-42页 |
| 4.3 散射电场的理论基础 | 第42-44页 |
| 4.4 不同条件下模拟结果与讨论 | 第44-47页 |
| 第5章 结束语 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第54页 |
