| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 薄膜晶体管简介以及一般的分类 | 第10-13页 |
| 1.2.1 多晶硅薄膜晶体管 | 第11页 |
| 1.2.2 非晶硅薄膜晶体管 | 第11-12页 |
| 1.2.3 有机薄膜晶体管 | 第12页 |
| 1.2.4 氧化物薄膜晶体管 | 第12-13页 |
| 1.3 薄膜晶体管在显示器件中的应用 | 第13-15页 |
| 1.4 本文研究的意义及主要内容 | 第15-17页 |
| 第2章 肖特基氧化锌薄膜晶体管的基本原理、制备与测试方法 | 第17-26页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 金属与半导体的接触 | 第17-20页 |
| 2.2.1 肖特基接触 | 第17-19页 |
| 2.2.2 欧姆接触 | 第19页 |
| 2.2.3 中性接触 | 第19-20页 |
| 2.3 ZnO薄膜的结构表征方法 | 第20-22页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第20-21页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第21-22页 |
| 2.4 器件的测试方法 | 第22-25页 |
| 2.4.1 吉时利4200-SCS/F半导体测试仪 | 第23页 |
| 2.4.2 130-Xe型波长连续可调式强光单色光源时利 | 第23-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 基于ZnO的肖特基二极管的性能表征与紫外光电特性 | 第26-37页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 不同工艺参数的ZnO薄膜与肖特基二极管的制备 | 第26-28页 |
| 3.2.1 ZnO薄膜的制备 | 第26-27页 |
| 3.2.2 ZnO基肖特基二极管的制备 | 第27-28页 |
| 3.3 氧化锌薄膜的表征 | 第28-31页 |
| 3.3.1 光的吸收与透射谱分析 | 第28-29页 |
| 3.3.2 XRD分析 | 第29-30页 |
| 3.3.3 SEM分析 | 第30-31页 |
| 3.4 ZnO基肖特基势垒二极管的紫外光电特性分析 | 第31-36页 |
| 3.4.1 无光条件下器件的I-V特性 | 第31-33页 |
| 3.4.2 无光条件下器件的C-V特性 | 第33-34页 |
| 3.4.3 紫外光条件下器件的C-V特性与吸收效率 | 第34-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 垂直结构ZnO基薄膜晶体管的工作特性分析 | 第37-50页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 垂直结构ZnO薄膜晶体管的基本结构与制备流程 | 第37-39页 |
| 4.3 ZnO薄膜晶体管的能带结构与工作原理 | 第39-40页 |
| 4.4 ZnO薄膜晶体管的测试结果及特性分析 | 第40-49页 |
| 4.4.1 输出特性分析 | 第40-44页 |
| 4.4.2 转移特性曲线与跨导的分析 | 第44-45页 |
| 4.4.3 输出电阻特性分析 | 第45-47页 |
| 4.4.4 电压放大系数 | 第47页 |
| 4.4.5 载流子迁移率解析 | 第47-48页 |
| 4.4.6 开关电流比特性分析 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
