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二维光电响应材料的理论研究

中文摘要第7-10页
Abstract第10-13页
第一章 绪论第14-32页
    1.1 石墨烯的物理化学性质和应用第14-19页
        1.1.1 石墨烯的电子结构及电输运性质第15-17页
        1.1.2 石墨烯的光学性质第17-18页
        1.1.3 石墨烯的合成制备第18-19页
    1.2 类石墨烯二维材料的研究现状第19-21页
    1.3 二维拓扑绝缘体的理论研究第21-24页
    1.4 本论文的研究内容第24-27页
    参考文献第27-32页
第二章 理论研究方法和基本概念第32-42页
    2.1 密度泛函理论第32-35页
    2.2自旋轨道耦合效应第35-37页
    2.3 Rashba自旋劈裂效应第37-40页
    参考文献第40-42页
第三章 多功能石墨烯体系的光电性质和电催化性能研究第42-89页
    3.1 研究背景第42-43页
    3.2 计算细节第43-44页
    3.3 光响应性π共轭分子-硫掺杂石墨烯复合结构的理论设计第44-56页
        3.3.1 硫原子掺杂对电子结构的调控第45-49页
        3.3.2 光响应分子负载的石墨烯体系:实现能量存储第49-54页
        3.3.3 硫掺杂和物理吸附相结合的多功能石墨烯第54-56页
    3.4 光驱动的电导调控:硅掺杂和类吡啶石墨烯与偶氮苯复合材料第56-67页
        3.4.1 电子结构的调控第58-62页
        3.4.2 光学吸收性质的调控第62-64页
        3.4.3 电输运性质的调控第64-67页
    3.5 氮掺杂石墨烯量子点和Ni_3S_2复合体系的电解水催化性能研究第67-72页
    3.6 本章小结第72-74页
    参考文献第74-89页
第四章 二维砷基纳米材料拓扑电子态和Rashba劈裂第89-126页
    4.1 研究背景第89-91页
    4.2 计算细节第91页
    4.3 单层功能化砷烯AsX(X=F, OH,CH_3)中的拓扑绝缘体第91-100页
        4.3.1 本征结构和拓扑电子态性质研究第91-96页
        4.3.2 双轴向应力和垂直电场效应第96-98页
        4.3.3 AsF体系的光学吸收性质第98-100页
    4.4 双层AsF量子自旋霍尔绝缘体中可调控的Rashba自旋劈裂第100-110页
        4.4.1 研究背景第100-101页
        4.4.2 不同的堆垛方式第101-103页
        4.4.3 Rashba劈裂和拓扑绝缘性质第103-106页
        4.4.4 外加应力调控第106-109页
        4.4.5 外加电场调控第109-110页
    4.5 二维砷烯剥离方法的理论预测第110-113页
    4.6 本章小结第113-114页
    参考文献第114-126页
第五章 全文总结与展望第126-128页
攻读博士学位期间发表论文、参加学术会议及获奖情况第128-130页
致谢第130-131页

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