| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-47页 |
| 第一节 引言 | 第11页 |
| 第二节 碳单层和硅单层的基本性质 | 第11-18页 |
| 2.1 碳单层简介 | 第11-13页 |
| 2.2 碳单层的电子结构 | 第13-16页 |
| 2.3 硅单层简介 | 第16页 |
| 2.4 硅单层的电子结构 | 第16-18页 |
| 第三节 碳和硅单层的电子输运 | 第18-36页 |
| 3.1 Berry曲率 | 第18-22页 |
| 3.2 反常热磁效应 | 第22-25页 |
| 3.3 Andreev反射 | 第25-30页 |
| 3.4 Josephson效应 | 第30-36页 |
| 3.4.1 Josephson效应的宏观解释 | 第31-32页 |
| 3.4.2 Josepshon效应的微观解释 | 第32-34页 |
| 3.4.3 Josepshon结的分类 | 第34-36页 |
| 第四节 理论途径和计算方法 | 第36-42页 |
| 4.1 Floquet理论 | 第36-38页 |
| 4.2 Blonder-Tinkham-Klapwijk理论 | 第38-40页 |
| 4.3 Ginzburg-Landau方程理论 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-47页 |
| 第二章 碳单层中光场调控的反常热磁效应 | 第47-63页 |
| 第一节 研究背景 | 第47-48页 |
| 第二节 模型与方法 | 第48-52页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第52-58页 |
| 3.1 谷依赖的Nernst效应 | 第53-55页 |
| 3.2 谷依赖的Ettingshausen效应 | 第55-57页 |
| 3.3 反常热磁品质因数 | 第57-58页 |
| 第四节 小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 第三章 硅单层Josephson结的光调控0-π转变 | 第63-81页 |
| 第一节 研究背景 | 第63-64页 |
| 第二节 模型与方法 | 第64-67页 |
| 第三节 Andreev束缚态 | 第67-70页 |
| 第四节 超流反转 | 第70-74页 |
| 第五节 小结 | 第74-75页 |
| 附录：求解Andreev束缚态 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 第四章 基于硅单层拓扑边态的π和φ_0 Josephson结 | 第81-99页 |
| 第一节 研究背景 | 第81-82页 |
| 第二节 模型与公式 | 第82-86页 |
| 第三节 体态 | 第86-89页 |
| 第四节 边态 | 第89-95页 |
| 4.1 波矢空间中边态的平移 | 第89-94页 |
| 4.2 边态Fermi速度的修正 | 第94-95页 |
| 第五节 关于实验测量的设计 | 第95-96页 |
| 第六节 小结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-99页 |
| 第五章 总结和展望 | 第99-101页 |
| 发表论文和参加学术会议情况 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
