| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 论文结构安排 | 第12-14页 |
| 第二章 密集波分复用系统及光探测器研究进展 | 第14-34页 |
| 2.1 WDM解复用器/光探测器技术原理与研究现状 | 第14-16页 |
| 2.2 DWDM系统中光探测器研究现状 | 第16-32页 |
| 2.2.1 谐振腔增强型(RCE)光探测器 | 第16-17页 |
| 2.2.2 长波长可调谐高响应度集成垂直腔半导体光放大器的PIN光探测器 | 第17-18页 |
| 2.2.3 “PINIP"漂移增强型双吸收层光探测器 | 第18-19页 |
| 2.2.4 高性能四镜三腔光探测器 | 第19-20页 |
| 2.2.5 长波长“一镜斜置三镜腔(OMITMC)”光探测器 | 第20页 |
| 2.2.6 F-P滤波器集成光探测器 | 第20-22页 |
| 2.2.7 级联亚波长光栅结构的长波长PIN光探测器 | 第22-24页 |
| 2.2.8 基于阶梯型F-P滤波腔的平顶陡边光探测器 | 第24-25页 |
| 2.2.9 具有多腔级联介质薄膜F-P滤波器结构的平顶陡边长波长PIN光探测器 | 第25-28页 |
| 2.2.10 基于微环结构光探测器 | 第28-30页 |
| 2.2.11 基于导模共振反射镜的可调谐光探测器 | 第30-32页 |
| 2.3 小结 | 第32-34页 |
| 第三章 新型高性能窄带宽基于亚波长光栅级联滤波结构的RCE光探测器的设计 | 第34-54页 |
| 3.1 亚波长光栅的严格耦合波分析法 | 第34-41页 |
| 3.1.1 TE模式 | 第35-37页 |
| 3.1.2 TM模式 | 第37-39页 |
| 3.1.3 台阶光栅结构分析 | 第39-41页 |
| 3.2 一维SOI材料亚波长光栅性能设计与仿真 | 第41-43页 |
| 3.3 SOI材料亚波长光栅在漂移增强型双吸收层PIN光探测器中的应用 | 第43-44页 |
| 3.4 多层平面介质波导理论分析 | 第44-46页 |
| 3.5 长波长窄带宽亚波长光栅导模共振滤波器设计 | 第46-50页 |
| 3.5.1 改变光栅周期 | 第47-48页 |
| 3.5.2 改变匹配层SiO_2层厚度 | 第48-49页 |
| 3.5.3 改变光栅层厚度 | 第49-50页 |
| 3.6 新型长波长窄带宽基于亚波长光栅级联结构探测器设计 | 第50-53页 |
| 3.7 小结 | 第53-54页 |
| 第四章 新型长波长基于亚波长光栅滤波结构的平顶陡边RCE光探测器设计 | 第54-64页 |
| 4.1 亚波长光栅单腔滤波器 | 第54-56页 |
| 4.2 亚波长光栅双腔耦合滤波器设计 | 第56-57页 |
| 4.3 新型基于亚波长光栅双腔耦合滤波结构的平顶陡边RCE光探测器的设计 | 第57-59页 |
| 4.4 新型长波长基于亚波长光栅滤波器与斜镜的平顶陡边PIN光探测器的设计 | 第59-63页 |
| 4.5 小结 | 第63-64页 |
| 第五章 基于SOI材料亚波长光栅的光探测器制备 | 第64-76页 |
| 5.1 纳米加工工艺 | 第64页 |
| 5.2 亚波长光栅实验制备步骤 | 第64-65页 |
| 5.3 亚波长光栅加工工艺 | 第65-68页 |
| 5.3.1 电子束曝光技术 | 第65-67页 |
| 5.3.2 等离子体气相沉积法镀膜技术 | 第67-68页 |
| 5.3.3 ICP干法刻蚀技术 | 第68页 |
| 5.4 条形亚波长光栅的制备与实验结果 | 第68-72页 |
| 5.4.1 SOI亚波长光栅制备的流程 | 第68-69页 |
| 5.4.2 条形亚波长光栅(SWG)的实验测试结果与分析 | 第69-71页 |
| 5.4.3 SOI材料亚波长光栅反射谱的实验测试 | 第71页 |
| 5.4.4 条形亚波长光栅偏振特性分析 | 第71-72页 |
| 5.5 基于SOI材料亚波长光栅结构的光探测器的制备与实验流程 | 第72-74页 |
| 5.5.1 基于亚波长光栅结构的光探测器制备 | 第72-74页 |
| 5.5.2 新型基于SOI亚波长光栅结构的光探测器实验测试 | 第74页 |
| 5.6 小结 | 第74-76页 |
| 第六章 总结 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学位论文 | 第86页 |
