| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 低介电常数材料的应用背景 | 第8-9页 |
| 1.2 低介电常数材料的主要性能要求 | 第9-11页 |
| 1.2.1 电学性能 | 第10页 |
| 1.2.2 力学性能 | 第10-11页 |
| 1.2.3 热稳定性 | 第11页 |
| 1.2.4 抗吸湿特性 | 第11页 |
| 1.3 超低介电常数材料的研究进展 | 第11-17页 |
| 1.3.1 无机低k薄膜材料 | 第12-13页 |
| 1.3.2 有机-无机低k杂化薄膜材料 | 第13-14页 |
| 1.3.3 多孔超低k薄膜材料 | 第14-17页 |
| 1.4 本论文研究的内容和成果 | 第17-19页 |
| 第二章 超低介电常数多孔SiCOH薄膜的制备与表征 | 第19-41页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 样品制备与性能表征 | 第19-23页 |
| 2.3 结果分析与讨论 | 第23-40页 |
| 2.3.1 不同退火温度对薄膜结构与性能的影响 | 第23-29页 |
| 2.3.2 不同成孔剂含量对薄膜结构与性能的影响 | 第29-34页 |
| 2.3.3 超低介电常数多孔SiCOH薄膜导电机理的研究 | 第34-38页 |
| 2.3.4 有序多孔SiCOH薄膜的制备与表征 | 第38-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 紫外照射对超低k多孔SiCOH薄膜性能改善 | 第41-48页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 实验方法与条件 | 第41-42页 |
| 3.3 结果分析与讨论 | 第42-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于不同前驱体的超低介电常数多孔SiCOH薄膜 | 第48-54页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 实验方法和条件 | 第48页 |
| 4.3 结果分析和讨论 | 第48-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文和专利情况 | 第68-69页 |
| 1、论文 | 第68页 |
| 2、专利 | 第68-69页 |
