| 中文摘要 | 第8-11页 |
| Abstract | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-43页 |
| 1.1 化学气相沉积法合成低维过渡金属硫族化合物研究进展 | 第15-25页 |
| 1.1.1 化学气相沉积法合成低维MoS_2 | 第15-22页 |
| 1.1.1.1 基于钼源表面硫化/热分解反应的MoS_2控制合成 | 第16-18页 |
| 1.1.1.2 基于气相硫化与表面成核生长的MoS_2控制合成 | 第18-22页 |
| 1.1.2 化学气相沉积法合成低维WS_2 | 第22-25页 |
| 1.2 化学气相沉积法合成合金及异质结构 | 第25-29页 |
| 1.3 主要表征手段及基本原理 | 第29-34页 |
| 1.3.1 光学显微镜 | 第29页 |
| 1.3.2 透射电子显微镜 | 第29-31页 |
| 1.3.3 拉曼光谱 | 第31-32页 |
| 1.3.4 原子力显微镜 | 第32-33页 |
| 1.3.5 X射线衍射 | 第33页 |
| 1.3.6 X射线光电子能谱 | 第33-34页 |
| 1.3.7 磁学测量系统-超导量子干涉器件 | 第34页 |
| 1.4 本论文的立题思想、研究内容和意义 | 第34-37页 |
| 参考文献 | 第37-43页 |
| 第二章 一维V2_O_3纳米带的制备及其相转变研究 | 第43-58页 |
| 2.1 引言 | 第43-44页 |
| 2.2 实验部分 | 第44-46页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第44页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第44页 |
| 2.2.3 V_2O_5纳米带前驱体的制备 | 第44页 |
| 2.2.4 V_2O_3纳米带的制备 | 第44-45页 |
| 2.2.5 TEM样品的制备及测量环境 | 第45页 |
| 2.2.6 XRD及XPS测量环境 | 第45页 |
| 2.2.7 电学器件的制备及变温磁性的测量环境 | 第45-46页 |
| 2.2.8 拉曼光谱的采集 | 第46页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第46-54页 |
| 2.3.1 V_2O_3纳米带的形貌及结晶性 | 第46-47页 |
| 2.3.2 V_2O_3纳米带的纯净度表征 | 第47-49页 |
| 2.3.3 V_2O_3纳米带的金属-绝缘体相转变 | 第49-50页 |
| 2.3.4 V_2O_3纳米带的磁相转变 | 第50-52页 |
| 2.3.5 V_2O_3纳米带的变温拉曼测量 | 第52-54页 |
| 2.4 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第三章 二维WS_2的制备及其形貌研究 | 第58-80页 |
| 3.1 V-W-O微米片前驱体制备WS_2二维薄片 | 第58-66页 |
| 3.1.1 引言 | 第58-59页 |
| 3.1.2 实验部分 | 第59-61页 |
| 3.1.2.1 实验试剂 | 第59页 |
| 3.1.2.2 实验仪器 | 第59页 |
| 3.1.2.3 V-W-O微米片的制备 | 第59页 |
| 3.1.2.4 WS_2二维薄片的制备 | 第59-60页 |
| 3.1.2.5 TEM样品的制备及测量环境 | 第60页 |
| 3.1.2.6 XPS测量环境 | 第60页 |
| 3.1.2.7 二维拉曼成像的采集 | 第60-61页 |
| 3.1.3 结果讨论 | 第61-65页 |
| 3.1.3.1 V-W-O微米片的形貌及结晶性 | 第61页 |
| 3.1.3.2 V-W-O微米片的组成 | 第61-62页 |
| 3.1.3.3 WS_2二维薄片的形貌及结晶性 | 第62-63页 |
| 3.1.3.4 WS_2二维薄片的纯度表征 | 第63-65页 |
| 3.1.4 结论 | 第65-66页 |
| 3.2 WO_3纳米棒前驱体制备大量WS_2二维薄片及其刻蚀的研究 | 第66-71页 |
| 3.2.1 实验部分 | 第66-67页 |
| 3.2.1.1 实验试剂 | 第66页 |
| 3.2.1.2 实验仪器 | 第66页 |
| 3.2.1.3 WO_3纳米棒的制备 | 第66-67页 |
| 3.2.1.4 WS_2二维薄片的制备 | 第67页 |
| 3.2.1.5 二维拉曼成像的采集 | 第67页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第67-71页 |
| 3.2.2.1 WS_2二维薄片的形貌 | 第67-69页 |
| 3.2.2.2 WS_2二维薄片的二维拉曼成像分析 | 第69-70页 |
| 3.2.3.3 WO_3纳米棒结构的分析及WS_2二维薄片刻蚀机理的推测 | 第70-71页 |
| 3.2.3 结论 | 第71页 |
| 3.3 图案化WO_3前驱体制备大量或大尺寸WS_2二维薄片 | 第71-77页 |
| 3.3.1 引言 | 第71-72页 |
| 3.3.2 实验部分 | 第72-75页 |
| 3.3.2.1 实验试剂 | 第72页 |
| 3.3.2.2 实验仪器 | 第72-73页 |
| 3.3.2.3 WO_3纳米棒的制备 | 第73页 |
| 3.3.2.4 WO_3图案化基底的制备 | 第73-74页 |
| 3.3.2.5 WS_2二维薄片的制备 | 第74-75页 |
| 3.3.3 结果与讨论 | 第75-76页 |
| 3.3.3.1 WS_2二维薄片的分布密度、尺寸及形貌 | 第75-76页 |
| 3.3.3.2 生长条件对WS_2二维薄片形貌的影响 | 第76页 |
| 3.3.4 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 第四章 具有垂直取向边缘的金属性铁磁体MoS_2纳米带的制备 | 第80-97页 |
| 4.1 引言 | 第80页 |
| 4.2 实验部分 | 第80-83页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第80-81页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第81页 |
| 4.2.3 MoO_3纳米带前驱体的制备 | 第81页 |
| 4.2.4 蓬松状MoO_3前驱体的制备 | 第81-82页 |
| 4.2.5 MoS_2纳米带的制备 | 第82-83页 |
| 4.2.6 TEM样品的制备及测量环境 | 第83页 |
| 4.2.7 XRD及XPS测量环境 | 第83页 |
| 4.2.8 电学器件的制备及测量环境 | 第83页 |
| 4.2.9 拉曼光谱的采集 | 第83页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第83-93页 |
| 4.3.1 MoO_3与MoS_2纳米带的形貌及两者的结晶性 | 第83-85页 |
| 4.3.2 MoO_3与MoS_2纳米带的化学组成 | 第85-87页 |
| 4.3.3 MoS_2纳米带垂直边缘的产生机理 | 第87-89页 |
| 4.3.4 MoS_2纳米带电学性质的表征 | 第89-91页 |
| 4.3.5 MoS_2纳米带磁学性质的表征 | 第91-93页 |
| 4.4 结论 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 第五章 论文的结论与不足 | 第97-99页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 附件 | 第101-105页 |
