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化学气相沉积法控制合成低维过渡金属硫族化合物的研究

中文摘要第8-11页
Abstract第11-13页
第一章 绪论第14-43页
    1.1 化学气相沉积法合成低维过渡金属硫族化合物研究进展第15-25页
        1.1.1 化学气相沉积法合成低维MoS_2第15-22页
            1.1.1.1 基于钼源表面硫化/热分解反应的MoS_2控制合成第16-18页
            1.1.1.2 基于气相硫化与表面成核生长的MoS_2控制合成第18-22页
        1.1.2 化学气相沉积法合成低维WS_2第22-25页
    1.2 化学气相沉积法合成合金及异质结构第25-29页
    1.3 主要表征手段及基本原理第29-34页
        1.3.1 光学显微镜第29页
        1.3.2 透射电子显微镜第29-31页
        1.3.3 拉曼光谱第31-32页
        1.3.4 原子力显微镜第32-33页
        1.3.5 X射线衍射第33页
        1.3.6 X射线光电子能谱第33-34页
        1.3.7 磁学测量系统-超导量子干涉器件第34页
    1.4 本论文的立题思想、研究内容和意义第34-37页
    参考文献第37-43页
第二章 一维V2_O_3纳米带的制备及其相转变研究第43-58页
    2.1 引言第43-44页
    2.2 实验部分第44-46页
        2.2.1 实验试剂第44页
        2.2.2 实验仪器第44页
        2.2.3 V_2O_5纳米带前驱体的制备第44页
        2.2.4 V_2O_3纳米带的制备第44-45页
        2.2.5 TEM样品的制备及测量环境第45页
        2.2.6 XRD及XPS测量环境第45页
        2.2.7 电学器件的制备及变温磁性的测量环境第45-46页
        2.2.8 拉曼光谱的采集第46页
    2.3 结果与讨论第46-54页
        2.3.1 V_2O_3纳米带的形貌及结晶性第46-47页
        2.3.2 V_2O_3纳米带的纯净度表征第47-49页
        2.3.3 V_2O_3纳米带的金属-绝缘体相转变第49-50页
        2.3.4 V_2O_3纳米带的磁相转变第50-52页
        2.3.5 V_2O_3纳米带的变温拉曼测量第52-54页
    2.4 结论第54-55页
    参考文献第55-58页
第三章 二维WS_2的制备及其形貌研究第58-80页
    3.1 V-W-O微米片前驱体制备WS_2二维薄片第58-66页
        3.1.1 引言第58-59页
        3.1.2 实验部分第59-61页
            3.1.2.1 实验试剂第59页
            3.1.2.2 实验仪器第59页
            3.1.2.3 V-W-O微米片的制备第59页
            3.1.2.4 WS_2二维薄片的制备第59-60页
            3.1.2.5 TEM样品的制备及测量环境第60页
            3.1.2.6 XPS测量环境第60页
            3.1.2.7 二维拉曼成像的采集第60-61页
        3.1.3 结果讨论第61-65页
            3.1.3.1 V-W-O微米片的形貌及结晶性第61页
            3.1.3.2 V-W-O微米片的组成第61-62页
            3.1.3.3 WS_2二维薄片的形貌及结晶性第62-63页
            3.1.3.4 WS_2二维薄片的纯度表征第63-65页
        3.1.4 结论第65-66页
    3.2 WO_3纳米棒前驱体制备大量WS_2二维薄片及其刻蚀的研究第66-71页
        3.2.1 实验部分第66-67页
            3.2.1.1 实验试剂第66页
            3.2.1.2 实验仪器第66页
            3.2.1.3 WO_3纳米棒的制备第66-67页
            3.2.1.4 WS_2二维薄片的制备第67页
            3.2.1.5 二维拉曼成像的采集第67页
        3.2.2 结果与讨论第67-71页
            3.2.2.1 WS_2二维薄片的形貌第67-69页
            3.2.2.2 WS_2二维薄片的二维拉曼成像分析第69-70页
            3.2.3.3 WO_3纳米棒结构的分析及WS_2二维薄片刻蚀机理的推测第70-71页
        3.2.3 结论第71页
    3.3 图案化WO_3前驱体制备大量或大尺寸WS_2二维薄片第71-77页
        3.3.1 引言第71-72页
        3.3.2 实验部分第72-75页
            3.3.2.1 实验试剂第72页
            3.3.2.2 实验仪器第72-73页
            3.3.2.3 WO_3纳米棒的制备第73页
            3.3.2.4 WO_3图案化基底的制备第73-74页
            3.3.2.5 WS_2二维薄片的制备第74-75页
        3.3.3 结果与讨论第75-76页
            3.3.3.1 WS_2二维薄片的分布密度、尺寸及形貌第75-76页
            3.3.3.2 生长条件对WS_2二维薄片形貌的影响第76页
        3.3.4 结论第76-77页
    参考文献第77-80页
第四章 具有垂直取向边缘的金属性铁磁体MoS_2纳米带的制备第80-97页
    4.1 引言第80页
    4.2 实验部分第80-83页
        4.2.1 实验试剂第80-81页
        4.2.2 实验仪器第81页
        4.2.3 MoO_3纳米带前驱体的制备第81页
        4.2.4 蓬松状MoO_3前驱体的制备第81-82页
        4.2.5 MoS_2纳米带的制备第82-83页
        4.2.6 TEM样品的制备及测量环境第83页
        4.2.7 XRD及XPS测量环境第83页
        4.2.8 电学器件的制备及测量环境第83页
        4.2.9 拉曼光谱的采集第83页
    4.3 结果与讨论第83-93页
        4.3.1 MoO_3与MoS_2纳米带的形貌及两者的结晶性第83-85页
        4.3.2 MoO_3与MoS_2纳米带的化学组成第85-87页
        4.3.3 MoS_2纳米带垂直边缘的产生机理第87-89页
        4.3.4 MoS_2纳米带电学性质的表征第89-91页
        4.3.5 MoS_2纳米带磁学性质的表征第91-93页
    4.4 结论第93-94页
    参考文献第94-97页
第五章 论文的结论与不足第97-99页
攻读博士学位期间发表的学术论文目录第99-100页
致谢第100-101页
附件第101-105页

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