| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究的背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展动态 | 第11-13页 |
| 1.3 论文研究的内容和章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 TG FinFETs物理分析和数值仿真的阐述 | 第15-34页 |
| 2.0 TG FinFETs的物理特点 | 第15-16页 |
| 2.1 TCAD软件的简单介绍 | 第16-19页 |
| 2.2 TG FinFETs的工艺仿真 | 第19-21页 |
| 2.3 TG FinFETs的器件仿真 | 第21-33页 |
| 2.3.1 电流dsI的理论分析 | 第21-23页 |
| 2.3.2 电流dsI的数值仿真 | 第23-26页 |
| 2.3.3 gsdsVI - 的数值仿真 | 第26-28页 |
| 2.3.4 阈值电压thV的理论分析 | 第28-29页 |
| 2.3.5 阈值电压thV的数值仿真 | 第29-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 器件几何结构参数的变化对SCEs影响的研究 | 第34-51页 |
| 3.1 SCEs的理论分析 | 第34-38页 |
| 3.2 SCEs的数值仿真 | 第38-50页 |
| 3.2.1 thDV的理论分析 | 第38-39页 |
| 3.2.2 thDV的数值仿真对比 | 第39-41页 |
| 3.2.3 SS的理论分析 | 第41-44页 |
| 3.2.4 SS的数值仿真 | 第44-47页 |
| 3.2.5 DIBL的理论分析 | 第47页 |
| 3.2.6 DIBL的数值仿真 | 第47-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 器件数值仿真与实验测量数据的对比 | 第51-56页 |
| 4.1 数值仿真结果的汇总 | 第51页 |
| 4.2 dsV与gsdsVI - 之间的关系 | 第51-52页 |
| 4.3 gsV与dsdsVI - 之间的关系 | 第52页 |
| 4.4 thV与finW之间的关系 | 第52-53页 |
| 4.5 SS与finW之间的关系 | 第53-54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-59页 |
| 5.1 全文内容的总结 | 第56-57页 |
| 5.2 后期研究的展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64页 |