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基于铋系半导体的新型光催化剂的设计、制备及其性能研究

中文摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第10-17页
    1.1 引言第10页
    1.2 半导体光催化第10-13页
        1.2.1 半导体光催化的基本原理第10-12页
        1.2.2 光催化的发展历史第12-13页
    1.3 半导体光催化的机遇与挑战第13-15页
        1.3.1 纳米光催化剂第13-14页
        1.3.2 影响光催化剂性能的因素第14-15页
    1.4 本论文的选题依据及研究内容第15-17页
第二章 样品的制备和表征方法第17-24页
    2.1 实验中所用的试剂和仪器设备第17-18页
        2.1.1 实验用试剂第17页
        2.1.2 实验用仪器设备第17-18页
    2.2 样品的制备方法第18-19页
        2.2.1 水热法第18页
        2.2.2 溶剂热法第18页
        2.2.3 共沉淀法第18-19页
        2.2.4 超声分散法第19页
    2.3 样品的表征方法第19-23页
        2.3.1 样品的结构和性质表征第19-20页
        2.3.2 样品的形貌表征第20-21页
        2.3.3 光催化性能测试方法第21-23页
    2.4 本章小结第23-24页
第三章 病毒状BiVO_4/Bi_2WO_6复合物的制备及其光催化性能研究第24-40页
    3.1 引言第24-25页
    3.2 样品的制备和表征方法第25页
        3.2.1 样品的制备方法第25页
        3.2.2 样品的表征方法第25页
        3.2.3 光催化实验第25页
    3.3 BiVO_4/Bi_2WO_6的形貌和结构第25-30页
    3.4 BiVO_4/Bi_2WO_6的光催化性能第30-36页
    3.5 BiVO_4/Bi_2WO_6光催化性能改进的机制第36-39页
    3.6 本章小结第39-40页
第四章N掺杂Bi_2O_3/g-C_3N_4复合物光催化性能研究第40-47页
    4.1 引言第40-41页
    4.2 样品的制备和表征方法第41-42页
        4.2.1 样品的制备第41页
        4.2.2 样品的表征方法第41页
        4.2.3 光催化实验第41-42页
    4.3 样品的形貌和结构第42-44页
    4.4 光催化性能第44-46页
    4.5 N掺杂Bi_2O_3/g-C_3N_4光催化性能改进的机制第46页
    4.6 本章小结第46-47页
第五章 Bi_2O_3/a-Fe_2O_3复合物光催化性能的研究第47-55页
    5.1 引言第47页
    5.2 样品的制备和表征方法第47-48页
        5.2.1 样品的制备方法第47-48页
        5.2.2 样品的表征方法第48页
        5.2.3 光催化实验第48页
    5.3 样品的形貌和结构第48-53页
    5.4 光催化性能第53-54页
    5.5 Bi_2O_3/a-Fe_2O_3光催化性能改进的机制第54页
    5.6 本章小结第54-55页
第六章 总结和展望第55-57页
    6.1 总结第55-56页
    6.2 展望第56-57页
参考文献第57-62页
在学期间研究成果第62-63页
致谢第63页

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