摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-17页 |
1.1 课题研究目的及意义 | 第11-13页 |
1.2 电化学沉积软磁薄膜 | 第13-16页 |
1.2.1 电化学沉积制备薄膜的优势 | 第13-14页 |
1.2.2 电化学沉积法制备铁磁薄膜的研究现状 | 第14-15页 |
1.2.3 电化学沉积金属软磁薄膜的发展趋势 | 第15-16页 |
1.3 研究动机 | 第16-17页 |
第二章 电沉积技术与测试设备 | 第17-29页 |
2.1 电化学沉积薄膜的微观原理 | 第17页 |
2.2 沉积液配置规则及影响因素 | 第17-20页 |
2.2.1 电化学沉积配方设计的原则 | 第18页 |
2.2.2 合金共沉积条件 | 第18-19页 |
2.2.3 沉积电位在沉积过程的作用 | 第19-20页 |
2.2.4 柠檬酸钠对沉积过程的微观作用 | 第20页 |
2.3 测试分析方法 | 第20-29页 |
2.3.1 X射线衍射仪(XRD) | 第20-21页 |
2.3.2 表面轮廓仪 | 第21-22页 |
2.3.3 扫描电子显微镜 | 第22-23页 |
2.3.4 原子力显微镜(AFM) | 第23-24页 |
2.3.5 振动样品磁强计(VSM) | 第24-25页 |
2.3.6 直线型四探针方阻测试仪 | 第25-26页 |
2.3.7 矢量网络分析仪 | 第26-29页 |
第三章 单层CoCu薄膜的制备及性能表征 | 第29-42页 |
3.1 电化学沉积CoCu合金工艺 | 第29-30页 |
3.1.1 合金电沉积液的基本配方 | 第29-30页 |
3.1.2 Cu膜及CoCu合金薄膜的沉积工艺 | 第30页 |
3.2 薄膜原子组分的调控 | 第30-31页 |
3.3 电沉积参数对CoCu薄膜微观结构的影响 | 第31-36页 |
3.3.1 沉积电位对多晶结构的影响 | 第32-35页 |
3.3.2 溶液浓度比对多晶结构的影响 | 第35-36页 |
3.4 CoCu表面形貌的控制 | 第36-40页 |
3.4.1 不加络合剂SEM图像随沉积电位的变化 | 第36-37页 |
3.4.2 加入络合剂后SEM图像随沉积电位的变化 | 第37-38页 |
3.4.3 加入络合剂后AFM随沉积电位的变化 | 第38-39页 |
3.4.4 CoCu合金薄膜沉积过程中的成膜微观过程 | 第39-40页 |
3.5 CoCu合金薄膜电阻率的变化 | 第40-41页 |
3.6 本章小结 | 第41-42页 |
第四章 CoCu合金薄膜磁性能的调控 | 第42-53页 |
4.1 电沉积参数对合金薄膜磁性能的影响 | 第42-45页 |
4.1.1 有机添加剂柠檬酸钠对薄膜磁性能的影响 | 第42-43页 |
4.1.2 溶液浓度比例对合金薄膜磁性能的影响 | 第43-45页 |
4.2 CoCu合金薄膜的饱和磁化强度调控 | 第45-46页 |
4.3 CoCu合金薄膜的各向异性调控 | 第46-51页 |
4.3.1 阴极沉积电位对诱导各向异性的影响 | 第46-47页 |
4.3.2 硼酸浓度对诱导各向异性的影响 | 第47-49页 |
4.3.3 柠檬酸钠浓度对诱导各向异性的影响 | 第49-51页 |
4.4 CoCu合金薄膜磁谱的调控 | 第51-52页 |
4.5 本章小结 | 第52-53页 |
第五章 [Cu/CoCu]_n多层膜的制备及应用 | 第53-64页 |
5.1 [Cu/CoCu]_n微波波导的制备 | 第53-56页 |
5.1.1 [Cu/CoCu]_n微波波导的制备工艺 | 第53-55页 |
5.1.2 影响电沉积[Cu/CoCu]_n多层膜质量因素分析 | 第55-56页 |
5.2 [Cu/CoCu]_n微波传输线的损耗计算 | 第56-59页 |
5.2.1 [Cu/CoCu]_n多层膜结构的方阻计算 | 第56-58页 |
5.2.2 [Cu/CoCu]_n多层膜结构趋肤效应抑制作用的调控 | 第58-59页 |
5.3 多层膜微波传输线S参数转换为传输电阻 | 第59-60页 |
5.4 多层膜微波传输线的测试及分析 | 第60-62页 |
5.5 本章小结 | 第62-64页 |
第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
6.1 总结 | 第64-65页 |
6.2 展望 | 第65-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-72页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第72-73页 |