高速高压FS-IGBT新结构研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·IGBT发展概述 | 第9-10页 |
| ·高速高压IGBT发展现状 | 第10-16页 |
| ·本文主要内容与工作 | 第16-18页 |
| 第二章 IGBT基本原理与MEDICI简介 | 第18-30页 |
| ·IGBT的基本结构 | 第18-21页 |
| ·NPT-IGBT和PT-IGBT | 第18-20页 |
| ·Trench Gate IGBT | 第20-21页 |
| ·IGBT基本工作状态 | 第21-27页 |
| ·阻断状态 | 第21-23页 |
| ·正向导通状态 | 第23-26页 |
| ·开关状态 | 第26-27页 |
| ·MEDICI简介及使用 | 第27-29页 |
| ·物理方程和模型比较 | 第27-29页 |
| ·使用及注意事项 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 沟槽阳极短路FS-IGBT结构研究 | 第30-44页 |
| ·沟槽短路阳极FS-IGBT的结构及工作原理 | 第30-31页 |
| ·新器件结构的思想萌芽 | 第31-33页 |
| ·TSA-FS-IGBT的转移特性和正向阻断分析 | 第33-36页 |
| ·TSA-FS-IGBT的转移特性 | 第33页 |
| ·TSA-FS-IGBT正向阻断性能仿真与分析 | 第33-36页 |
| ·TSA-FS-IGBT的导通特性及参数优化 | 第36-41页 |
| ·导通特性及Snapback现象的消除 | 第36-38页 |
| ·电导调制过程及载流子分布 | 第38-39页 |
| ·饱和特性、电流均匀性和温度特性 | 第39-41页 |
| ·TSA-FS-IGBT的关断特性与折衷关系 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 具有阳极氧化埋层的FS-IGBT结构研究 | 第44-56页 |
| ·阳极氧化埋层FS-IGBT结构与工作原理 | 第44-46页 |
| ·ABO-FS-IGBT的正向阻断特性及原理 | 第46-47页 |
| ·ABO-FS-IGBT的正向阻断参数优化 | 第47-49页 |
| ·氧化埋层长度的影响 | 第48页 |
| ·氧化埋层厚度及漂移区短路厚度的影响 | 第48-49页 |
| ·ABO-FS-IGBT的导通特性及参数优化 | 第49-54页 |
| ·负阻分析及氧化层长度L2对导通特性的影响 | 第49-50页 |
| ·氧化层厚度T2对导通特性的影响及优化 | 第50-51页 |
| ·电导调制过程及载流子分布 | 第51-52页 |
| ·器件饱和特性、电流均匀性及温度特性 | 第52-54页 |
| ·ABO-FS-IGBT的关断特性及折衷关系分析 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 阳极浮空P型埋层FS-IGBT结构研究 | 第56-70页 |
| ·阳极浮空P型埋层FS-IGBT的结构与工作原理 | 第56-58页 |
| ·阻断特性及相关参数优化 | 第58-62页 |
| ·阻断性能仿真 | 第58-60页 |
| ·埋层长度的阻断性能优化 | 第60-61页 |
| ·埋层浓度及厚度的阻断性能优化 | 第61-62页 |
| ·导通特性及相关参数优化 | 第62-65页 |
| ·负阻分析及埋层长度与浓度的通态性能优化 | 第62-64页 |
| ·埋层厚度的通态性能优化 | 第64-65页 |
| ·电导调制过程 | 第65-66页 |
| ·关断性能参数优化及折衷关系 | 第66-69页 |
| ·埋层长度对关断时间的影响 | 第66-67页 |
| ·埋层浓度及厚度对关断时间的影响 | 第67-68页 |
| ·NPN晶体管开启对关断时间的影响 | 第68-69页 |
| ·折衷关系 | 第69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| ·总结 | 第70-71页 |
| ·展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第75-76页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第76-77页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
