| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·相变光存储原理 | 第9-10页 |
| ·相变光存储材料 | 第10-12页 |
| ·相变光存储材料的发展 | 第10-11页 |
| ·相变光存储材料的结构 | 第11-12页 |
| ·相变存储材料非晶态结构研究 | 第12-14页 |
| ·本课题的研究目的及意义 | 第14-16页 |
| 第2章 计算方法与实验方案介绍 | 第16-24页 |
| ·第一性原理分子动力学 | 第16-20页 |
| ·第一性原理计算 | 第16-18页 |
| ·经典分子动力学 | 第18页 |
| ·第一性原理分子动力学 | 第18-20页 |
| ·实验方案 | 第20-23页 |
| ·实验仪器介绍 | 第21-22页 |
| ·Materials Studio软件 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 激光诱导Ge_2Sb_2Te_5非晶化过程研究 | 第24-36页 |
| ·不同激光能量诱导Ge_2Sb_2Te_5薄膜非晶化 | 第24-25页 |
| ·激光诱导非晶化过程温度场模拟 | 第25-26页 |
| ·第一性原理分子动力学非晶化过程模拟 | 第26-34页 |
| ·构建原子结构模型 | 第26-29页 |
| ·非晶化过程模拟 | 第29-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 非晶态结构及非晶化机理分析 | 第36-48页 |
| ·原子结构分析 | 第36-43页 |
| ·径向分布函数 | 第36-38页 |
| ·键能分析 | 第38-39页 |
| ·键长分析 | 第39-41页 |
| ·键角分析 | 第41-43页 |
| ·电子结构分析 | 第43-45页 |
| ·能带分析 | 第43-44页 |
| ·态密度分析 | 第44-45页 |
| ·非晶化过程机理分析 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |