| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 InGaAs 红外探测器的研究进展 | 第12-24页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·红外探测器的分类及应用 | 第14-16页 |
| ·红外探测器的分类 | 第14-16页 |
| ·红外探测器的应用 | 第16页 |
| ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料的性质和基本参数 | 第16-19页 |
| ·InGaAs 光电探测器器件结构 | 第19-20页 |
| ·InGaAs 探测器模拟计算的发展历史及国内发展现状 | 第20-21页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第21-24页 |
| 第2章 InGaAs 光伏型红外探测器性能指标及计算的理论基础 | 第24-38页 |
| ·光伏型红外探测器的工作原理 | 第24-31页 |
| ·光伏型红外探测器的参数 | 第25-29页 |
| ·光伏型红外探测器的噪声特性 | 第29-31页 |
| ·APSYS 软件介绍 | 第31-38页 |
| ·APSYS 软件概况介绍 | 第31-33页 |
| ·APSYS 在红外探测器结构模拟上的应用 | 第33-38页 |
| 第3章 PON N 结构 InGaAs 延伸波长探测器的优化设计 | 第38-58页 |
| ·APSYS 模拟延伸波长 InGaAs 探测器可靠性验证 | 第38-41页 |
| ·不同盖层材料对器件的影响 | 第41-43页 |
| ·不同衬底材料对器件的影响 | 第43-45页 |
| ·不同吸收层厚度对器件的影响 | 第45-47页 |
| ·入光方式对器件的影响 | 第47-56页 |
| ·不同入光方式对缓冲层器件的影响 | 第47-52页 |
| ·不同入光方式对不同衬底器件的影响 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第4章 PNN 复合型盖层 PIN 结构 InGaAs 探测器设计优化 | 第58-74页 |
| ·InAsP 盖层延伸波长 InGaAs 红外探测器的设计与实验验证 | 第58-60页 |
| ·PNN 盖层 PIN 结构 InGaAs 探测器设计与优化 | 第60-73页 |
| ·InAlAs/InAsP/InGaAs 材料 PNN 盖层 PIN 结构 InGaAs 探测器设计与优化 | 第61-67页 |
| ·InAlAs/InAsP/InAlAs 材料 PNN 盖层 PIN 结构 InGaAs 探测器设计与优化 | 第67-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第5章 结论与展望 | 第74-76页 |
| ·结论 | 第74-75页 |
| ·展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第82-84页 |
| 指导教师及作者简介 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
