| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第12-13页 |
| ·InGaAs 红外探测器的研究进展 | 第13-16页 |
| ·InGaAs 材料与 GaAs 材料概述 | 第16-19页 |
| ·InGaAs 材料性质 | 第16-17页 |
| ·GaAs 材料性质 | 第17-19页 |
| ·外延生长 InGaAs 材料 | 第19页 |
| ·外延薄膜生长的基本物理过程与生长模式 | 第19-20页 |
| ·InGaAs 异质结材料外延生长存在的问题及两步生长法的引入 | 第20-21页 |
| ·本论文的主要工作 | 第21-24页 |
| 第2章 MOCVD 生长技术及常用的薄膜样品表征手段 | 第24-42页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·MOCVD 生长技术 | 第24-31页 |
| ·MOCVD 的发展 | 第24-26页 |
| ·MOCVD 的原理及特点 | 第26-27页 |
| ·MOCVD 生长系统 | 第27-31页 |
| ·MOCVD 的应用 | 第31页 |
| ·半导体薄膜材料常用表征手段 | 第31-40页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第31-32页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第32-33页 |
| ·高分辨 X 射线双晶衍射（HRXRD） | 第33-36页 |
| ·拉曼散射(Raman scatter) | 第36-37页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第37-38页 |
| ·电化学腐蚀（ECV） | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第3章 基于两步生长法的 InGaAs 外延生长及表征研究 | 第42-54页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·两步生长法外延生长 InGaAs | 第42-43页 |
| ·缓冲层厚度对外延层质量的影响 | 第43-52页 |
| ·不同缓冲层厚度样品外延层形貌研究 | 第43-47页 |
| ·不同缓冲层厚度样品外延层结晶质量研究 | 第47-48页 |
| ·不同缓冲层厚度样品外延层应力及有序度研究 | 第48-51页 |
| ·不同缓冲层厚度样品外延层载流子浓度研究 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第4章 InGaAs/GaAs 异质结构位错显微结构研究 | 第54-70页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·缺陷的产生 | 第55-57页 |
| ·外延层中的缺陷类型 | 第55页 |
| ·失配位错的来源 | 第55-57页 |
| ·TEM 样品的制备 | 第57-60页 |
| ·不同厚度缓冲层样品显微结构分析 | 第60-69页 |
| ·TEM 观察样品横截面位错形貌 | 第60-61页 |
| ·样品横截面细微结构分析 | 第61-62页 |
| ·缓冲层厚度对样品横截面位错形貌的影响 | 第62-64页 |
| ·不同缓冲层厚度样品外延层位错密度 | 第64-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第5章 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-82页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第82-84页 |
| 指导教师及作者简介 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
