| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·深紫外光及其应用 | 第10-11页 |
| ·紫外光源 | 第11-13页 |
| ·宽禁带半导体材料深紫外光源 | 第13-16页 |
| ·ZnO 基材料特点及其在深紫外发光器件方面的进展 | 第16-20页 |
| ·论文的选题依据及研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 等离子体基本物理 | 第22-26页 |
| ·等离子体 | 第22-23页 |
| ·放电装置 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 MgZnO 材料制备和表征方法 | 第26-48页 |
| ·晶体生长物理概述 | 第26-28页 |
| ·薄膜制备设备 | 第28-35页 |
| ·样品分析与表征手段 | 第35-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 MgZnO 材料的生长与表征 | 第48-56页 |
| ·ZnO 薄膜的制备与表征 | 第49-51页 |
| ·MgZnO 薄膜的制备与表征 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 等离子体激发 MgZnO 深紫外发光 | 第56-64页 |
| ·等离子体装置 | 第56-59页 |
| ·等离子体激发 MgZnO 实现深紫外发光 | 第59-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论与展望 | 第64-66页 |
| ·全文总结 | 第64页 |
| ·展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第70-71页 |
| 指导教师及作者简介 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |