| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-31页 |
| ·石墨烯及弹道输运 | 第8-19页 |
| ·低能电子激发 | 第8-11页 |
| ·Coulomb相互作用 | 第11-12页 |
| ·弹道输运 | 第12-16页 |
| ·栅控纳米结构 | 第16-18页 |
| ·带隙工程 | 第18-19页 |
| ·弹道输运若干物理现象及应用 | 第19-29页 |
| ·负微分电阻及其应用 | 第20-23页 |
| ·Goos-H?nchen 位移及其应用 | 第23-27页 |
| ·群时延及其测量 | 第27-29页 |
| ·本论文研究动机及主要内容 | 第29-31页 |
| 第2章 理论方法 | 第31-40页 |
| ·包络函数的求解 | 第31-34页 |
| ·平移对称体系 | 第32页 |
| ·柱对称体系 | 第32-34页 |
| ·面内存在均匀电场 | 第34页 |
| ·定态Dirac方程在势垒边界的变分 | 第34-36页 |
| ·相对论朗道能级及其回旋共振的双量子谐振子表示 | 第36-40页 |
| 第3章 石墨烯双势垒共振隧穿二极管的负微分电阻效应 | 第40-52页 |
| ·研究背景简介 | 第40-41页 |
| ·模型构建 | 第41-43页 |
| ·数值结果与物理分析 | 第43-49页 |
| ·无质量Dirac Fermions的负微分电阻 | 第43-46页 |
| ·电极接触效应 | 第46-47页 |
| ·能隙效应 | 第47-48页 |
| ·结构不对称效应 | 第48-49页 |
| ·单势垒二极管负微分电阻重访 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 石墨烯双势垒结构中的巨 Goos-H?nchen 位移 | 第52-62页 |
| ·研究背景简介 | 第52-53页 |
| ·GH位移的表达式 | 第53-54页 |
| ·数值结果与物理分析 | 第54-60页 |
| ·共振隧穿诱导的巨GH位移 | 第54-57页 |
| ·界面平滑度的影响 | 第57-58页 |
| ·结构不对称性的影响 | 第58-59页 |
| ·诱导能隙的影响 | 第59-60页 |
| ·巨GH位移的测量 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 石墨烯中集体群时延及其自旋进动测量 | 第62-72页 |
| ·研究背景简介 | 第62-63页 |
| ·二维群时延的内秉GH分量 | 第63-65页 |
| ·集体群时延的进动测量 | 第65-69页 |
| ·集体群时延的Hartman效应 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第6章 石墨烯中朗道能级和光跃迁的近线性静电调制 | 第72-82页 |
| ·研究背景简介 | 第72页 |
| ·模型构建和理论方法 | 第72-74页 |
| ·数值结果与物理分析 | 第74-79页 |
| ·低能能谱 | 第74-78页 |
| ·光跃迁的静电调制 | 第78-79页 |
| ·电势边界平滑度和多体效应的影响 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第7章 结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第95页 |