嵌入式动态锁存比较器与芯片级ESD设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·论文的背景和意义 | 第9-10页 |
| ·国内外发展现状 | 第10-13页 |
| ·比较器的国内外发展现状 | 第10-12页 |
| ·ESD 的国内外发展现状 | 第12-13页 |
| ·论文主要研究内容与组织结构 | 第13-14页 |
| ·论文创新点 | 第14-15页 |
| 第2章 比较器的基本原理和常用结构 | 第15-32页 |
| ·比较器的工作原理 | 第15页 |
| ·比较器的性能参数 | 第15-21页 |
| ·分辨率 | 第16-17页 |
| ·输入失调电压 | 第17-19页 |
| ·噪声 | 第19页 |
| ·响应时间 | 第19-21页 |
| ·功耗 | 第21页 |
| ·速度 | 第21页 |
| ·比较器的基本结构 | 第21-31页 |
| ·静态比较器 | 第22-27页 |
| ·动态比较器 | 第27-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 嵌入式动态锁存比较器的设计 | 第32-56页 |
| ·系统结构和工作原理 | 第32-33页 |
| ·嵌入式动态锁存比较器设计 | 第33-36页 |
| ·时钟控制电路 | 第33页 |
| ·比较锁存电路 | 第33-36页 |
| ·输出级 | 第36页 |
| ·比较器前仿真 | 第36-43页 |
| ·比较器逻辑功能仿真 | 第37页 |
| ·比较器速度与分辨率仿真 | 第37-39页 |
| ·比较器传输延时仿真 | 第39-41页 |
| ·比较器功耗仿真 | 第41页 |
| ·比较器失调电压仿真 | 第41-43页 |
| ·版图设计 | 第43-48页 |
| ·衬底噪声 | 第43-44页 |
| ·天线效应 | 第44页 |
| ·虚设器件的设计 | 第44-45页 |
| ·保护环的设计 | 第45-46页 |
| ·匹配的设计 | 第46-48页 |
| ·整体芯片后仿真 | 第48-52页 |
| ·芯片测试结果 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第4章 ESD 保护电路工作原理和分类 | 第56-73页 |
| ·ESD 设计概念 | 第56页 |
| ·ESD 保护器件分类与选取 | 第56-59页 |
| ·二极管 | 第56-57页 |
| ·栅接地晶体管 GGNMOS | 第57-58页 |
| ·可控硅整流器 SCR | 第58-59页 |
| ·全芯片 ESD 保护电路 | 第59-72页 |
| ·ESD 放电模型 | 第59-62页 |
| ·ESD 放电测试组合 | 第62-66页 |
| ·全芯片 ESD 保护电路及版图设计 | 第66-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第5章 总结与展望 | 第73-75页 |
| ·总结 | 第73页 |
| ·不足与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 附录A 个人简历 | 第80-81页 |
| 附录B 在校期间发表的学术论文及研究成果 | 第81页 |
