| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| ·ADC 介绍及其应用 | 第13-15页 |
| ·SAR ADC 研究现状 | 第15-18页 |
| ·高精度 SAR ADC | 第15-17页 |
| ·高速 SAR ADC | 第17页 |
| ·低功耗 SAR ADC | 第17-18页 |
| ·研究背景与思路 | 第18-20页 |
| ·本论文结构安排 | 第20-21页 |
| 第二章 纳米级 CMOS 工艺下的电路设计 | 第21-32页 |
| ·CMOS 工艺的尺寸缩小 | 第21-26页 |
| ·电源电压的降低 | 第22页 |
| ·短沟道器件的噪声 | 第22-23页 |
| ·有源器件的匹配性 | 第23-24页 |
| ·本征增益与特征频率 | 第24-25页 |
| ·晶体管的泄露电流 | 第25-26页 |
| ·电路设计随工艺演进的机遇和挑战 | 第26-28页 |
| ·纳米级工艺下模拟电路设计 | 第28-31页 |
| ·不同厚度栅氧化层晶体管 | 第28页 |
| ·基于 g m /I D的功耗优化设计方法 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 超低电压超低功耗模拟电路设计 | 第32-41页 |
| ·超低电压模拟电路设计的挑战 | 第32-33页 |
| ·基于亚阈值区 MOS 管进行电路设计的考虑 | 第33-35页 |
| ·亚阈值区晶体管随 PVT 的变化 | 第33-34页 |
| ·亚阈值区晶体管的匹配性 | 第34-35页 |
| ·亚阈值区晶体管的噪声 | 第35页 |
| ·通过调节晶体管体电位的模拟电路设计 | 第35-40页 |
| ·体极输入栅极偏置电路 | 第36-37页 |
| ·栅极输入体极偏置电路 | 第37-39页 |
| ·两种调节体电位设计方法的比较 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 SAR 模数转换器的设计 | 第41-63页 |
| ·SAR ADC 工作原理 | 第41-42页 |
| ·SAR ADC 的精度、速度和功耗分析 | 第42-43页 |
| ·SAR ADC D/A 转换电路 | 第43-54页 |
| ·电荷重分配 D/A 转换电路分析 | 第43-49页 |
| ·电容匹配的分析 | 第49-53页 |
| ·D/A 转换功耗分析 | 第53-54页 |
| ·开关技术 | 第54-58页 |
| ·MOS 晶体管开关 | 第55-56页 |
| ·自举开关技术 | 第56-58页 |
| ·比较器设计技术 | 第58-62页 |
| ·比较器失调及其消除技术 | 第59-60页 |
| ·比较器噪声的影响 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 一种 0.5V 电源电压下精度可调 SARADC 的设计实现 | 第63-98页 |
| ·0.5V SAR ADC 系统结构设计 | 第63-64页 |
| ·电荷重分配 D/A 转换电路设计 | 第64-74页 |
| ·低功耗 D/A 转换结构 | 第64-67页 |
| ·寄生电容及桥接电容的影响分析 | 第67-72页 |
| ·电容匹配的考虑 | 第72-74页 |
| ·超低电压下开关的设计 | 第74-78页 |
| ·高线性低泄露的采样开关设计 | 第74-76页 |
| ·精度调节开关设计 | 第76-78页 |
| ·参考电压开关设计 | 第78页 |
| ·超低压超低功耗比较器的设计 | 第78-82页 |
| ·比较器的失调分析与仿真 | 第79-81页 |
| ·比较器的噪声分析与仿真 | 第81-82页 |
| ·0.5V SAR ADC 数字逻辑设计 | 第82-85页 |
| ·精度可调逻辑设计 | 第83页 |
| ·逐次逼近控制逻辑设计 | 第83-85页 |
| ·0.5V SAR ADC 版图设计 | 第85-88页 |
| ·整体版图的设计 | 第85-87页 |
| ·后仿真结果 | 第87-88页 |
| ·0.5V SAR ADC 芯片测试 | 第88-97页 |
| ·ADC 性能测试方法 | 第88-91页 |
| ·0.5V SAR ADC 测试结果 | 第91-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 第六章 总结与展望 | 第98-100页 |
| ·工作总结 | 第98页 |
| ·展望 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-108页 |
| 个人简历及攻读硕士学位期间的研究成果 | 第108-109页 |