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大功率垂直腔面发射激光器的结构设计与研制

摘要第1-7页
Abstract第7-10页
目录第10-14页
第1章 绪论第14-40页
   ·VCSEL 的结构和特点第14-17页
   ·VCSEL 研究现状第17-35页
     ·不同波段 VCSEL 的进展第17-25页
     ·高功率 VCSEL 的进展第25-31页
     ·垂直外腔面发射激光器(VECSEL)的进展第31-35页
   ·大功率 VCSEL 的研究背景及意义第35-38页
   ·本论文的研究工作第38-40页
第2章 VCSEL 理论基础第40-64页
   ·量子阱的理论计算第40-45页
     ·应变材料的临界厚度第40-42页
     ·应变材料的带隙计算第42-43页
     ·能带带阶的计算第43-44页
     ·量子化子能级的计算第44-45页
   ·DBR 反射镜的设计第45-54页
     ·DBR 反射率的计算第46-48页
     ·DBR 的损耗第48-49页
     ·DBR 的反射带宽和穿透深度第49-50页
     ·谐振腔模式分析第50-52页
     ·DBR 的串联电阻第52-54页
   ·VCSEL 的输出特性第54-62页
     ·量子阱的光增益第54-57页
     ·阈值电流密度第57-58页
     ·微分量子效率第58页
     ·电光转换效率第58-62页
     ·输出功率第62页
   ·本章小结第62-64页
第3章 大功率 VCSEL 的结构设计与性能模拟第64-98页
   ·1060nm VCSEL 器件量子阱的参数设计第64-78页
     ·量子阱材料的选择第64-67页
     ·带隙的计算第67-68页
     ·带阶的计算第68-69页
     ·有效质量的计算第69-71页
     ·子能级的计算第71-72页
     ·量子阱的子能级对应带隙和波长第72页
     ·量子阱的材料增益第72-74页
     ·器件的输出特性及材料参数的选取第74-76页
     ·不同垒层器件的对比第76-78页
   ·1060nm VCSEL 器件 DBR 的参数设计第78-83页
     ·AlxGa1-xAs 材料折射率的计算第78-80页
     ·损耗及色散对 DBR 的影响第80-82页
     ·渐变型 DBR第82-83页
   ·VCSEL 结构的整体设计第83-91页
     ·VCSEL 的光腔设计第84-86页
     ·氧化限制层设计第86页
     ·1060nm VCSEL 的结构第86-89页
     ·PICS3D 软件模拟结果第89-91页
     ·量子阱的生长与测试第91页
   ·980nm VCSEL 器件数值模拟第91-94页
   ·VCSEL 器件的电流密度分布第94-96页
   ·本章小结第96-98页
第4章 VCSEL 制作工艺研究第98-110页
   ·外延生长技术介绍第98-99页
   ·外延片清洗第99-100页
   ·光刻技术第100-102页
   ·湿法刻蚀工艺第102-104页
   ·湿法选择氧化技术第104-107页
     ·原理第104-105页
     ·实验装置第105页
     ·湿法选择氧化工艺条件第105-107页
   ·工艺流程第107-108页
   ·本章小结第108-110页
第5章 大功率 980nm VCSEL 器件的研制与测试第110-132页
   ·980nm VCSEL 器件 n-DBR 的优化第111-116页
     ·980nmVCSEL 器件的结构第111页
     ·理论计算第111-116页
   ·980nm VCSEL 阵列的优化第116-120页
     ·理论模型第116-118页
     ·计算结果第118-120页
   ·器件的测试与分析第120-130页
     ·测试方法与原理第120-122页
     ·优化前的单管器件测试结果第122-124页
     ·优化后器件的测试结果与分析第124-130页
   ·小结第130-132页
第6章 总结与展望第132-136页
参考文献第136-146页
在学期间学术成果情况第146-148页
指导教师及作者简介第148-150页
致谢第150页

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