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852nm半导体激光器结构设计与外延生长

摘要第1-7页
Abstract第7-10页
目录第10-14页
第1章 绪论第14-22页
   ·半导体激光器简介第14-16页
   ·半导体激光器的应用领域第16-18页
   ·国内外发展现状第18-19页
   ·本论文研究内容与结构安排第19-22页
     ·研究对象第19-20页
     ·论文工作的主要内容第20页
     ·论文的结构安排第20-22页
第2章 半导体激光器基本理论第22-36页
   ·半导体激光器的基本理论第22-23页
   ·光增益与阈值条件第23-24页
   ·侧向限制第24-26页
   ·光波导与谐振腔第26-34页
     ·半导体材料的有效折射率第26-29页
     ·半导体激光器的法布里-珀罗谐振腔第29-32页
     ·腔面膜第32-34页
   ·本章小结第34-36页
第3章 852nm半导体激光器芯片结构设计第36-64页
   ·852nm半导体激光器量子阱理论设计第36-57页
     ·体材料能带计算第36-39页
     ·量子阱材料性能参数确定第39页
     ·应变对量子阱能带漂移的影响第39-41页
     ·应变量子阱能带带阶计算第41-43页
     ·应变量子阱发光波长确定第43-46页
     ·电子和空穴密度计算第46-47页
     ·应变量子阱光增益第47-48页
     ·应变量子阱材料选择第48-57页
   ·852nm半导体激光器整体结构设计第57-62页
     ·852nm半导体激光器波导层和包层设计第57-61页
     ·852nm半导体激光器整体结构第61-62页
   ·本章小结第62-64页
第4章 852nm半导体激光器外延生长与原位监测第64-96页
   ·MOCVD外延生长概述第64-66页
     ·MOCVD概述第64页
     ·MOCVD外延生长技术的优缺点第64-65页
     ·MOCVD外延生长技术难点第65-66页
   ·MOCVD设备简介第66-68页
     ·气体输运系统第66-67页
     ·MOCVD反应室第67-68页
     ·MOCVD尾气处理系统第68页
   ·MOCVD外延生长原理第68-74页
     ·TMGa和AsH_3生长GaAs的化学反应动力学第68-71页
     ·AlGaAs和InAlGaAs的 MOCVD外延生长第71-74页
   ·外延材料参数测试表征第74-75页
     ·X射线双晶衍射技术第74-75页
     ·光荧光(PL)技术第75页
   ·MOCVD外延生长的原位监测技术介绍第75-76页
   ·GaAs表面RAS研究第76-78页
   ·原位监测确定AlGaAs的组分和生长速度第78-87页
     ·确定原位监测AlGaAs外延生长的探测光能量第79-81页
     ·原位监测AlGaAs组分变化第81-83页
     ·在线计算AlGaAs的生长速率和组分第83-85页
     ·AlGaAs界面和表面光学各向异性对RAS的贡献第85-87页
   ·原位监测InAlGaAs量子阱的研究第87-94页
     ·InAlGaAs量子阱外延条件第88-89页
     ·InAlGaAs量子阱探测光能量确定第89-90页
     ·InAlGaAs量子阱在线监测研究第90-93页
     ·852nm半导体激光器的原位监测研究第93-94页
   ·本章小结第94-96页
第5章 852nm半导体激光器工艺制作和测试分析第96-110页
   ·工艺制作流程第96-104页
     ·光刻与刻蚀第97-99页
     ·射频溅射SiO_2绝缘介质膜第99页
     ·金属膜第99-100页
     ·制备腔面膜第100-102页
     ·焊接封装工艺第102-104页
   ·器件测试结果分析第104-107页
     ·阈值电流第104页
     ·外量子效率第104-105页
     ·波长漂移第105-106页
     ·器件测试结果分析第106-107页
   ·本章小结第107-110页
第6章 结论与展望第110-112页
参考文献第112-122页
在学期间学术成果情况第122-123页
指导教师及个人简介第123-124页
致谢第124页

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