摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
目录 | 第10-14页 |
第1章 绪论 | 第14-22页 |
·半导体激光器简介 | 第14-16页 |
·半导体激光器的应用领域 | 第16-18页 |
·国内外发展现状 | 第18-19页 |
·本论文研究内容与结构安排 | 第19-22页 |
·研究对象 | 第19-20页 |
·论文工作的主要内容 | 第20页 |
·论文的结构安排 | 第20-22页 |
第2章 半导体激光器基本理论 | 第22-36页 |
·半导体激光器的基本理论 | 第22-23页 |
·光增益与阈值条件 | 第23-24页 |
·侧向限制 | 第24-26页 |
·光波导与谐振腔 | 第26-34页 |
·半导体材料的有效折射率 | 第26-29页 |
·半导体激光器的法布里-珀罗谐振腔 | 第29-32页 |
·腔面膜 | 第32-34页 |
·本章小结 | 第34-36页 |
第3章 852nm半导体激光器芯片结构设计 | 第36-64页 |
·852nm半导体激光器量子阱理论设计 | 第36-57页 |
·体材料能带计算 | 第36-39页 |
·量子阱材料性能参数确定 | 第39页 |
·应变对量子阱能带漂移的影响 | 第39-41页 |
·应变量子阱能带带阶计算 | 第41-43页 |
·应变量子阱发光波长确定 | 第43-46页 |
·电子和空穴密度计算 | 第46-47页 |
·应变量子阱光增益 | 第47-48页 |
·应变量子阱材料选择 | 第48-57页 |
·852nm半导体激光器整体结构设计 | 第57-62页 |
·852nm半导体激光器波导层和包层设计 | 第57-61页 |
·852nm半导体激光器整体结构 | 第61-62页 |
·本章小结 | 第62-64页 |
第4章 852nm半导体激光器外延生长与原位监测 | 第64-96页 |
·MOCVD外延生长概述 | 第64-66页 |
·MOCVD概述 | 第64页 |
·MOCVD外延生长技术的优缺点 | 第64-65页 |
·MOCVD外延生长技术难点 | 第65-66页 |
·MOCVD设备简介 | 第66-68页 |
·气体输运系统 | 第66-67页 |
·MOCVD反应室 | 第67-68页 |
·MOCVD尾气处理系统 | 第68页 |
·MOCVD外延生长原理 | 第68-74页 |
·TMGa和AsH_3生长GaAs的化学反应动力学 | 第68-71页 |
·AlGaAs和InAlGaAs的 MOCVD外延生长 | 第71-74页 |
·外延材料参数测试表征 | 第74-75页 |
·X射线双晶衍射技术 | 第74-75页 |
·光荧光(PL)技术 | 第75页 |
·MOCVD外延生长的原位监测技术介绍 | 第75-76页 |
·GaAs表面RAS研究 | 第76-78页 |
·原位监测确定AlGaAs的组分和生长速度 | 第78-87页 |
·确定原位监测AlGaAs外延生长的探测光能量 | 第79-81页 |
·原位监测AlGaAs组分变化 | 第81-83页 |
·在线计算AlGaAs的生长速率和组分 | 第83-85页 |
·AlGaAs界面和表面光学各向异性对RAS的贡献 | 第85-87页 |
·原位监测InAlGaAs量子阱的研究 | 第87-94页 |
·InAlGaAs量子阱外延条件 | 第88-89页 |
·InAlGaAs量子阱探测光能量确定 | 第89-90页 |
·InAlGaAs量子阱在线监测研究 | 第90-93页 |
·852nm半导体激光器的原位监测研究 | 第93-94页 |
·本章小结 | 第94-96页 |
第5章 852nm半导体激光器工艺制作和测试分析 | 第96-110页 |
·工艺制作流程 | 第96-104页 |
·光刻与刻蚀 | 第97-99页 |
·射频溅射SiO_2绝缘介质膜 | 第99页 |
·金属膜 | 第99-100页 |
·制备腔面膜 | 第100-102页 |
·焊接封装工艺 | 第102-104页 |
·器件测试结果分析 | 第104-107页 |
·阈值电流 | 第104页 |
·外量子效率 | 第104-105页 |
·波长漂移 | 第105-106页 |
·器件测试结果分析 | 第106-107页 |
·本章小结 | 第107-110页 |
第6章 结论与展望 | 第110-112页 |
参考文献 | 第112-122页 |
在学期间学术成果情况 | 第122-123页 |
指导教师及个人简介 | 第123-124页 |
致谢 | 第124页 |