| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第1章 研究背景和文献综述 | 第13-41页 |
| ·负离子的重要性和传统产生方法 | 第13-17页 |
| ·负离子的重要性 | 第13-14页 |
| ·负离子的传统产生和检测方法 | 第14-17页 |
| ·负离子发射材料简介 | 第17-33页 |
| ·YSZ(Y_2O_(3-)stabilized ZrO_2)材料 | 第17-19页 |
| ·C12A7(12CaO·7Al_2O_3)材料 | 第19-33页 |
| ·本文的新进展 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-41页 |
| 第2章 C12A7-F~-材料的F~-离子发射特性研究 | 第41-71页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·F~-离子的研究背景 | 第41-42页 |
| ·本章的工作 | 第42页 |
| ·实验装置及实验条件简介 | 第42-50页 |
| ·材料制备 | 第42-44页 |
| ·发射特性 | 第44-50页 |
| ·C12A7-F~-的制备 | 第50-51页 |
| ·C12A7-F~-发射特性研究 | 第51-66页 |
| ·温度效应 | 第52-55页 |
| ·引出场效应 | 第55-57页 |
| ·表观活化能 | 第57-62页 |
| ·时间效应 | 第62-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 第3章 C12A7-F~-材料的F~-离子存储特性研究 | 第71-91页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·实验条件简介 | 第71-73页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FESEM)观察 | 第71页 |
| ·BET比表面和孔径分析 | 第71-72页 |
| ·X射线衍射(XRD)晶相结构表征 | 第72页 |
| ·电子顺磁共振(EPR)测量 | 第72页 |
| ·离子色谱(IC)测量 | 第72页 |
| ·喇曼谱(RS)测量 | 第72-73页 |
| ·C12A7-F~-的结构表征 | 第73-82页 |
| ·C12A7-F~-的结构特性 | 第73-76页 |
| ·C12A7-F~-的存储特性 | 第76-82页 |
| ·C12A7-F~-材料形成和负离子发射机理探讨 | 第82-86页 |
| ·C12A7-F~-材料形成机理 | 第82-83页 |
| ·C12A7-F~-材料发射机理 | 第83-86页 |
| ·小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 第4章 C12A7-F~-材料绝对发射电流密度的测量 | 第91-99页 |
| ·引言 | 第91页 |
| ·C12A7-F~-材料绝对发射电流密度的测量 | 第91-97页 |
| ·温度效应和引出场效应 | 第92-95页 |
| ·时间效应 | 第95-97页 |
| ·小结 | 第97-99页 |
| 第5章 F~-离子束在硅和二氧化硅蚀刻中究应用基础研 | 第99-115页 |
| ·引言 | 第99页 |
| ·实验材料和方法 | 第99-103页 |
| ·样品制备 | 第99-100页 |
| ·蚀刻装置 | 第100-101页 |
| ·材料蚀刻前后表征 | 第101-103页 |
| ·F~-离子束对硅和二氧化硅蚀刻 | 第103-110页 |
| ·F~-束对二氧化硅的蚀刻 | 第103-106页 |
| ·F~-负离子束对硅的蚀刻 | 第106-110页 |
| ·小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-115页 |
| 总结与展望 | 第115-117页 |
| 1. 工作总结 | 第115页 |
| 2. 工作展望 | 第115-117页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119页 |
