PECVD生长类金刚石薄膜的电学性质研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| §1.1 类金刚石薄膜的结构 | 第9-10页 |
| §1.2 类金刚石薄膜的发展与研究热点 | 第10-12页 |
| §1.3 类金刚石薄膜的制备方法 | 第12-14页 |
| ·物理气相沉积 | 第12-13页 |
| ·化学气相沉积 | 第13-14页 |
| §1.4 射频等离子体增强化学气相沉积 | 第14-15页 |
| §1.5 本文的主要研究内容 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 类金刚石薄膜的制备 | 第19-26页 |
| §2.1 实验装置 | 第19-20页 |
| §2.2 基底材料的选择及处理 | 第20-21页 |
| §2.3 仪器操作流程 | 第21-22页 |
| §2.4 掺氮DLC薄膜的生长 | 第22-23页 |
| §2.5 掺硼DLC薄膜的生长 | 第23-24页 |
| §2.6 样品的工艺条件及编号 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第三章 薄膜的结构表征及性能 | 第26-33页 |
| §3.1 薄膜的表面形貌分析 | 第26-27页 |
| §3.2 生长速率 | 第27-28页 |
| §3.3 俄歇电子能谱 | 第28-29页 |
| §3.4 拉曼光谱 | 第29-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第四章 类金刚石薄膜的电学性质 | 第33-48页 |
| §4.1 半导体与金属的接触 | 第33-34页 |
| §4.2 DLC薄膜与金属的接触 | 第34-38页 |
| §4.3 电极的实验制备 | 第38页 |
| §4.4 薄膜与金属接触的I-V特性 | 第38-44页 |
| §4.5 结果分析 | 第44-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第五章 研究工作总结与展望 | 第48-50页 |
| 硕士期间发表论文情况 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
