| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| ·全固态激光器的发展 | 第10-12页 |
| ·2μm全固态激光器研究进展 | 第12-14页 |
| ·Tm,Ho:YAG | 第12-13页 |
| ·Tm,Ho:YAP | 第13页 |
| ·Tm,Ho:YLF | 第13-14页 |
| ·Tm,Ho:LuLF | 第14页 |
| ·本论文的研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 被动调Q技术的基本原理 | 第16-26页 |
| ·调Q的基本原理 | 第16-19页 |
| ·脉冲固体激光器的输出特性 | 第16-17页 |
| ·Q开关脉冲建立过程 | 第17-19页 |
| ·被动调Q晶体的饱和吸收特性 | 第19-22页 |
| ·被动调Q和主动调Q的比较 | 第22-23页 |
| ·Cr~(2+):ZnSe晶体的性能及其调Q机理 | 第23-25页 |
| ·Cr~(2+):ZnSe晶体的性能 | 第23-24页 |
| ·Cr~(2+):ZnSe被动调Q机理 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 Tm~(3+)掺杂激光晶体被动调Q速率方程 | 第26-42页 |
| ·Tm~(3+)离子的能级结构分析 | 第26-27页 |
| ·腔内光场分布为平面波近似的速率方程 | 第27-28页 |
| ·速率方程的解析求解 | 第28-31页 |
| ·脉冲输出特性的计算和讨论 | 第31-37页 |
| ·单脉冲能量E_p | 第31-32页 |
| ·峰值功率P_(peak) | 第32页 |
| ·脉冲宽度t_p | 第32-33页 |
| ·脉冲序列的重复频率 | 第33-37页 |
| ·脉冲稳定性的数值模拟 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 腔内光场的高斯分布近似的被动调Q速率方程 | 第42-55页 |
| ·修正的速率方程 | 第42-44页 |
| ·速率方程解析求解 | 第44-46页 |
| ·数值模似与讨论 | 第46-54页 |
| ·ω_g/ω_s与单脉冲能量、峰值功率及脉宽的关系 | 第47-50页 |
| ·n_(0s)等参数与单脉冲能量、峰值功率及脉宽的关系 | 第50-54页 |
| ·腔内光场的平面波近似与高斯近似下输出脉冲的比较 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 Tm~(3+),Ho~(3+)共掺激光晶体被动调Q速率方程 | 第55-71页 |
| ·速率方程建模 | 第55-60页 |
| ·Tm~(3+),Ho~(3+)共掺体系的粒子跃迁过程分析 | 第55-58页 |
| ·速率方程的合理简化 | 第58-60页 |
| ·脉冲操作的数值模拟 | 第60-64页 |
| ·Tm~(3+),Ho~(3+)共掺激光晶体的输入饱和特性 | 第64-66页 |
| ·输出脉冲特性与讨论 | 第66-69页 |
| ·输出镜反射率R与输出脉冲能量、峰值功率、脉宽的关系 | 第66-67页 |
| ·增益介质长度l与输出脉冲能量、峰值功率、脉宽的关系 | 第67-68页 |
| ·调Q晶体长度l_s与输出脉冲能量、峰值功率、脉宽的关系 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
