| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 超快激光技术简介 | 第10-13页 |
| 1.3 超快光谱测量技术简介 | 第13-15页 |
| 1.4 超快光谱技术的应用 | 第15-18页 |
| 1.4.1 光催化过程 | 第15-17页 |
| 1.4.2 光化学反应 | 第17页 |
| 1.4.3 能量及电荷移动过程 | 第17-18页 |
| 1.5 过渡金属硫化物 | 第18-22页 |
| 1.6 范德瓦尔斯异质结 | 第22-24页 |
| 1.7 钙钛矿型半导体 | 第24-26页 |
| 1.8 本论文研究内容和创新点 | 第26-30页 |
| 第二章 超快光谱技术基本原理 | 第30-42页 |
| 2.1 基本理论 | 第30-31页 |
| 2.2 载流子的测量以及分布 | 第31-33页 |
| 2.3 时间分辨泵浦探测原理 | 第33页 |
| 2.4 分子体系中载流子的超快动力学过程 | 第33-36页 |
| 2.5 分子体系超快过程中基本规则介绍 | 第36-37页 |
| 2.6 半导体中载流子的超快动力学过程 | 第37-41页 |
| 2.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 实验装置 | 第42-51页 |
| 3.1 飞秒激光系统 | 第42-43页 |
| 3.2 光学参量放大器 | 第43-45页 |
| 3.3 瞬态吸收光谱仪 | 第45-50页 |
| 3.3.1 实验设备介绍 | 第45-48页 |
| 3.3.2 瞬态吸收信号 | 第48-49页 |
| 3.3.3 啁啾矫正 | 第49-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 单层二硫化钨被激发后的光响应 | 第51-67页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 实验方法 | 第52-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-65页 |
| 4.4 本章小节 | 第65-67页 |
| 第五章 石墨烯-二硫化钨范德瓦尔斯异质结中的超快电荷转移 | 第67-83页 |
| 5.1 引言 | 第67-71页 |
| 5.2 实验方法 | 第71-73页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第73-82页 |
| 5.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 无机钙钛矿(CsPbBr_3)中光生载流子的动力学 | 第83-100页 |
| 6.1 引言 | 第83-85页 |
| 6.2 实验方法 | 第85-86页 |
| 6.3 实验样品的制备以及表征 | 第86-88页 |
| 6.4 结果与讨论 | 第88-99页 |
| 6.5 本章小结 | 第99-100页 |
| 第七章 总结与展望 | 第100-103页 |
| 参考文献 | 第103-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第115页 |