首页--工业技术论文--电工技术论文--独立电源技术(直接发电)论文--光电池论文--太阳能电池论文

CIS太阳能电池缓冲层工艺研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-7页
1 绪论第7-19页
   ·CIS 太阳能电池的发展历史及研究现状第7-11页
   ·离子辅助镀膜(IAD)工艺的概况及研究现状第11-17页
   ·CIS 太阳能电池的基本结构第17-18页
   ·本文的研究内容和意义第18-19页
2 硫化镉 (CdS) 缓冲层 IAD 工艺研究第19-36页
   ·离子辅助镀膜原理第19-22页
   ·CdS 的传统制备方法第22-24页
   ·硫化镉(CdS)缓冲层 IAD 工艺分析第24-30页
   ·退火工艺第30-34页
   ·小结第34-36页
3 CIS 半导体结构机制分析第36-50页
   ·CIS 半导体材料特性第36-38页
   ·CIS 层工作原理第38-44页
   ·CIS 基材料制备技术第44-49页
   ·小结第49-50页
4 全文总结第50-51页
致谢第51-52页
参考文献第52-56页
附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录第56页

论文共56页,点击 下载论文
上一篇:中国农村金融风险:问题、设计和前景
下一篇:电大远程教育教学管理模式研究