摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-23页 |
·TaC的物理化学性质及应用 | 第10-13页 |
·钽(Ta)的物理化学性质 | 第10-11页 |
·TaC的物理化学性质 | 第11-12页 |
·TaC材料的应用 | 第12-13页 |
·过渡金属难熔碳化物的应用与氧化研究现状 | 第13-18页 |
·过渡金属碳化物的结构特性与应用 | 第13-16页 |
·过渡金属碳化物的氧化研究现状 | 第16-18页 |
·过渡金属碳化物(非TaC)的氧化研究现状 | 第16-18页 |
·碳化钽的氧化研究现状 | 第18页 |
·TaC陶瓷材料的制备方法 | 第18-20页 |
·研究背景、目的及意义 | 第20-22页 |
·本论文研究内容 | 第22-23页 |
第2章 试验内容、方法与设备 | 第23-28页 |
·TaC试样制备的研究 | 第23-25页 |
·原材料 | 第24-25页 |
·试样制备工艺 | 第25页 |
·模压设备 | 第25页 |
·烧结设备 | 第25页 |
·TaC材料性能表征 | 第25-28页 |
·TaC材料氧化性能测试 | 第25-26页 |
·非等温氧化试验 | 第25页 |
·等温氧化试验 | 第25-26页 |
·氧炔焰烧蚀试验 | 第26-27页 |
·密度 | 第27页 |
·X射线衍射分析 | 第27页 |
·金相分析 | 第27页 |
·扫描电子显微镜分析 | 第27-28页 |
第3章 烧结制备TaC陶瓷 | 第28-39页 |
·常压固相烧结法制备TaC陶瓷 | 第28-30页 |
·温度对常压烧结TaC陶瓷表面形貌的影响 | 第28-29页 |
·温度对常压烧结TaC微观结构的影响 | 第29-30页 |
·TaC常压固相烧结分析 | 第30页 |
·反应烧结制备TaC陶瓷 | 第30-32页 |
·添加少量Ta、C粉末活化烧结制备TaC陶瓷 | 第32-35页 |
·添加少量Ta、C粉末活化制备TaC陶瓷的微观形貌 | 第32-33页 |
·烧结温度对少量Ta、C活化烧结TaC陶瓷结构的影响 | 第33-34页 |
·添加C、Ta含量对活化烧结后TaC陶瓷微观结构的影响 | 第34-35页 |
·反应烧结与活化烧结制备TaC陶瓷的烧结过程分析 | 第35-36页 |
·制备TaC陶瓷材料工艺的选择 | 第36-37页 |
·小结 | 第37-39页 |
第4章 TaC高温氧化及氧化机理分析 | 第39-68页 |
·TaC热分析特征的研究 | 第41-44页 |
·不同氧分压下TaC粉末氧化特性 | 第41-42页 |
·TaC陶瓷Tg-DSC研究 | 第42-44页 |
·TaC陶瓷等温氧化动力学研究 | 第44-48页 |
·TaC陶瓷静态空气等温氧化动力学 | 第44-46页 |
·氧分压对1400℃等温氧化的影响 | 第46-48页 |
·氧化物表面物相分析 | 第48-49页 |
·TaC陶瓷氧化形貌特征 | 第49-58页 |
·TaC陶瓷氧化宏观形貌 | 第49-51页 |
·氧化表面微观形貌 | 第51-53页 |
·TaC陶瓷氧化后结构分析 | 第53-58页 |
·氧化温度对氧化后材料微观结构的影响 | 第53-55页 |
·氧化后材料氧化层内孔隙的特点 | 第55-56页 |
·氧化后材料层内元素的分布特点 | 第56-58页 |
·TaC氧化过程讨论分析 | 第58-66页 |
·TaC氧化动力学分析 | 第59-60页 |
·氧分压对氧化过程的影响 | 第60-61页 |
·1000~1400℃范围多孔氧化物中气体扩散示意图 | 第61-64页 |
·多孔氧化钽的形成机理 | 第64-66页 |
·本章小节 | 第66-68页 |
第5章 TaC超高温烧蚀行为研究 | 第68-81页 |
·前言 | 第68页 |
·TaC陶瓷氧炔焰烧蚀形貌分析 | 第68-74页 |
·TaC陶瓷氧炔焰烧蚀宏观照片 | 第68-69页 |
·TaC陶瓷烧蚀表面形貌 | 第69-71页 |
·TaC陶瓷烧蚀截面微观结构 | 第71-73页 |
·烧蚀后表面物相分析 | 第73页 |
·TaC烧蚀形貌的讨论分析 | 第73-74页 |
·烧蚀时间对烧蚀形貌的影响 | 第74-78页 |
·不同烧蚀时间的TaC烧蚀形貌 | 第74-76页 |
·反应界面处微观结构 | 第76-78页 |
·TaC陶瓷烧蚀过程讨论分析 | 第78-79页 |
·本章小节 | 第79-81页 |
第6章 结论 | 第81-83页 |
参考文献 | 第83-89页 |
致谢 | 第89-90页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第90页 |