| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 序论 | 第9-35页 |
| ·MEMS简介 | 第9-11页 |
| ·MEMS加工技术 | 第11-12页 |
| ·表面微机械加工技术 | 第11-12页 |
| ·体微机械加工技术 | 第12页 |
| ·LIGA技术 | 第12页 |
| ·电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术 | 第12-33页 |
| ·ICP刻蚀装置 | 第13-15页 |
| ·ICP模型 | 第15-24页 |
| ·刻蚀表面演化算法 | 第24-27页 |
| ·等离子体刻蚀硅片的机理与模型 | 第27-32页 |
| ·可用于等离子体刻蚀的现有模拟工具 | 第32-33页 |
| ·课题研究的背景与意义 | 第33-34页 |
| ·论文的主要工作 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第二章 ICP装置腔体内的气体分布模拟 | 第35-47页 |
| ·气体分布模拟的现有问题与困难 | 第35-36页 |
| ·DSMC的要点 | 第36-37页 |
| ·模拟试验及参数设定 | 第37-40页 |
| ·模拟中的假设 | 第37-38页 |
| ·模拟参数的设定 | 第38-40页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第40-46页 |
| ·模拟结果 | 第40-44页 |
| ·与已有模拟的比较 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 ICP刻蚀中的单步反应离子刻蚀模型研究 | 第47-63页 |
| ·刻蚀表面几何模型 | 第47-51页 |
| ·线算法 | 第47-48页 |
| ·2-D沟槽结构的刻蚀几何模型 | 第48-51页 |
| ·等离子体鞘层模型 | 第51-52页 |
| ·等离子体鞘层 | 第51-52页 |
| ·一种简化的鞘层离子模型 | 第52页 |
| ·入射离子流通量 | 第52-54页 |
| ·入射中性粒子流通量 | 第54-55页 |
| ·刻蚀反应 | 第55-56页 |
| ·刻蚀模型的归一化数值解法 | 第56-59页 |
| ·刻蚀速率的模拟结果与讨论 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 交替复合深刻蚀(ICP TMDE)的模型研究 | 第63-81页 |
| ·交替复合深刻蚀 | 第63-65页 |
| ·刻蚀模型 | 第65-66页 |
| ·淀积模型 | 第66-67页 |
| ·单一线算法对不同刻蚀材料的区分 | 第67页 |
| ·几何修正及程序稳定性 | 第67-68页 |
| ·Footing效应及其建模 | 第68-70页 |
| ·模拟与实验结果比较 | 第70-80页 |
| ·参数R的调整及其对入射离子流的影响 | 第70-72页 |
| ·ICP复合深刻蚀的模拟及实验对比 | 第72-77页 |
| ·Footing效应的模拟及实验对比 | 第77-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第五章 总结与展望 | 第81-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-91页 |
| 图表索引 | 第91-94页 |
| 在学期间发表的论文 | 第94页 |