| 摘要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·研究背景及目的意义 | 第8-9页 |
| ·硅微电子技术的发展 | 第9-10页 |
| ·硅集成电路面临的瓶颈 | 第10-11页 |
| ·SOI 技术 | 第11-15页 |
| ·SOI 相对于体硅技术的优越性 | 第12页 |
| ·SOI 市场前景 | 第12-13页 |
| ·SOI 制备技术 | 第13-15页 |
| ·MMIC 基本无源元件 | 第15-17页 |
| ·论文的研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 传输线理论与微波双端口网络 | 第18-28页 |
| ·传输线方程及其解 | 第18-22页 |
| ·S参数与双端网络 | 第22-24页 |
| ·双端口网络参数的转换 | 第24-28页 |
| 第三章 共面波导传输线损耗特性研究 | 第28-35页 |
| ·共面波导结构 | 第28-29页 |
| ·影响CPW 线传输损耗的因素 | 第29-30页 |
| ·不同材料上共面波导线的损耗特性 | 第30-34页 |
| ·低阻硅上共面波导传输线损耗分析 | 第30-32页 |
| ·SOI 衬底上共面波导 | 第32-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第四章 在片集成电感 | 第35-51页 |
| ·硅集成电感的结构和等效模型 | 第35-39页 |
| ·平面螺旋电感 | 第35-38页 |
| ·层叠螺旋电感 | 第38-39页 |
| ·螺旋电感值分析 | 第39-43页 |
| ·螺旋电感感应原理 | 第40-41页 |
| ·平面螺旋电感值的简单表达式 | 第41-43页 |
| ·提高螺旋电感Q 值的途径 | 第43-50页 |
| ·集成电感寄生效应对Q 值的影响 | 第44-49页 |
| ·提高集成电感Q 值的方法 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第五章 片上电感实验、测试和工艺 | 第51-70页 |
| ·微带集成电感器件制作过程 | 第51-54页 |
| ·微带结构的器件制作工艺 | 第51-53页 |
| ·平面螺旋电感流片工艺 | 第53-54页 |
| ·平面螺旋电感版图的的设计 | 第54-62页 |
| ·S 参数测试系统 | 第56-57页 |
| ·无通孔共面波导到微带的转换效应 | 第57-59页 |
| ·针对测试系统集成电感版图的变化 | 第59-60页 |
| ·去嵌入(De_embedding)对电感测试的重要性 | 第60-62页 |
| ·测试结果分析 | 第62-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第六章 全文结论 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 个人简历 | 第72页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第72页 |
| 硕士期间参与的科研项目 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |