| 前言 | 第1-3页 |
| 目录 | 第3-5页 |
| 中文摘要 | 第5-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-17页 |
| §1．1 空间辐射环境 | 第7-9页 |
| §1．2 辐射效应 | 第9-12页 |
| §1．3 国内外研究现状及发展趋势 | 第12-17页 |
| 第二章 质子的核内级联过程及模拟 | 第17-30页 |
| §2．1 质子的核内级联过程 | 第17-20页 |
| §2．2 质子核内级联过程的模拟 | 第20-25页 |
| §2．3 计算结果的验证与分析 | 第25-30页 |
| 第三章 高能质子在硅材料中输运的蒙特卡罗模拟 | 第30-47页 |
| §3．1 引言 | 第30-31页 |
| §3．2 核散射 | 第31-37页 |
| §3．3 电子能量损失 | 第37-42页 |
| §3．4 核反应 | 第42-43页 |
| §3．5 计算结果的验证与分析 | 第43-47页 |
| 第四章 质子对硅材料的辐射效应研究 | 第47-57页 |
| §4．1 高能质子对材料的辐射损伤模拟 | 第47-50页 |
| §4．2 器件单粒子效应的模拟 | 第50-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| §5．1 总结 | 第57页 |
| §5．2 展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 附录一 程序介绍 | 第62-67页 |
| §附1．1 核内级联过程的模拟程序MCSIC | 第62-63页 |
| §附1．2 质子输运的蒙卡模拟程序MCSPT | 第63-65页 |
| §附1．3 硅器件p-SEU截面的计算程序MCSPSEU | 第65-67页 |
| 附录二 用FORTRAN90进行面向对象编程 | 第67-69页 |