| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·非挥发性存储器的发展历程 | 第11-13页 |
| ·传统非挥发性存储器 | 第11-12页 |
| ·新型非挥发性存储器 | 第12-13页 |
| ·ZnO 薄膜的结构、性能和应用 | 第13-15页 |
| ·ZnO 的结构 | 第13-14页 |
| ·ZnO 的性能和应用 | 第14-15页 |
| ·ZnO 的制备工艺 | 第15-17页 |
| ·ZnO 基阻变存储器的国内外研究现状 | 第17-19页 |
| ·本论文的研究意义、思路和内容 | 第19-22页 |
| ·本论文的研究意义和思路 | 第19-21页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 ZnO 基存储单元的构建及其表征 | 第22-33页 |
| ·ZnO 基阻变器件的结构 | 第22-24页 |
| ·ZnO 基阻变器件的制备和实现 | 第24-28页 |
| ·衬底准备 | 第24-25页 |
| ·ZnO 薄膜的沉积 | 第25-27页 |
| ·电极的制备 | 第27-28页 |
| ·薄膜和器件的测试与表征 | 第28-33页 |
| ·膜厚测试 | 第28-29页 |
| ·表面形貌测试（AFM） | 第29-30页 |
| ·晶向测试（XRD） | 第30页 |
| ·微观结构测试（SEM） | 第30-31页 |
| ·电学测试 | 第31-33页 |
| 第三章 工艺条件对 ZnO 薄膜生长及其性能的研究 | 第33-44页 |
| ·氧分压对 ZnO 薄膜性能的影响研究 | 第33-39页 |
| ·氧分压对 ZnO 薄膜晶向 XRD 的影响 | 第33-34页 |
| ·氧分压对 ZnO 薄膜表面形貌的影响 | 第34-36页 |
| ·氧分压对 ZnO 阻变器件的电学特性的影响 | 第36-39页 |
| ·衬底温度对 ZnO 薄膜的影响研究 | 第39-41页 |
| ·薄膜厚度对 ZnO 薄膜的影响研究 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 电极对 ZnO 阻变特性的研究 | 第44-57页 |
| ·样品的制备及表征 | 第44-50页 |
| ·Cu、Al、Ag、Pt、Au 下电极薄膜的制备与表征 | 第44-49页 |
| ·在下电极上制备 ZnO 薄膜 | 第49-50页 |
| ·下电极对 ZnO 阻变特性的影响 | 第50-53页 |
| ·下电极的作用机理 | 第50-51页 |
| ·不同下电极的 ZnO 基存储器的 I-V 特性 | 第51-53页 |
| ·上电极尺寸对 ZnO 阻变特性的影响 | 第53-55页 |
| ·上电极尺寸的影响 | 第53-54页 |
| ·CAFM 下的 nano-tip 的测试 | 第54-55页 |
| ·本章小节 | 第55-57页 |
| 第五章 基于 ZnO 新型结构的 RRAM 研究 | 第57-63页 |
| ·1C1R 阻变存储单元的研究 | 第57-61页 |
| ·探索 P/N 型氧化物叠层结构的 RRAM | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |