| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-13页 |
| ·声表面波介绍 | 第9页 |
| ·声表面波器件的基本结构与特点 | 第9-10页 |
| ·多层膜结构的 SAW 延迟线 | 第10-12页 |
| ·AlN/Diamond 多层膜结构的研究现状 | 第12-13页 |
| ·本文立论依据和主要工作 | 第13-14页 |
| ·本章小结 | 第14-15页 |
| 第二章 金刚石薄膜的性质及其制备 | 第15-25页 |
| ·金刚石薄膜简介 | 第15-17页 |
| ·金刚石薄膜 | 第15页 |
| ·金刚石薄膜的结构及性质 | 第15-17页 |
| ·化学气相沉积金刚石薄膜 | 第17-19页 |
| ·CVD 金刚石薄膜 | 第17-18页 |
| ·CVD 金刚石主要制备方法 | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积金刚石膜的生长过程 | 第19-20页 |
| ·CVD 金刚石薄膜的一般条件 | 第19页 |
| ·金刚石形核 | 第19-20页 |
| ·亚稳态生长 | 第20页 |
| ·硅基底表面 CVD 金刚石膜 | 第20-24页 |
| ·化学气相沉积金刚石膜结果及分析 | 第21-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第三章 氮化铝的性质及制备表征方法 | 第25-30页 |
| ·氮化铝的性质 | 第25-26页 |
| ·AlN 薄膜的工艺制备方法 | 第26-27页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第27-28页 |
| ·薄膜的吸附、扩散和凝结 | 第27页 |
| ·核的形成和生长 | 第27-28页 |
| ·薄膜的形成和生长 | 第28页 |
| ·氮化铝薄膜的表征方法 | 第28-29页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第28-29页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第四章 金刚石基底上沉积 AlN 薄膜生长特性研究 | 第30-43页 |
| ·氮化铝薄膜择优取向的生长机理 | 第30-31页 |
| ·AlN 薄膜择优取向生长的热力学理论 | 第30页 |
| ·AlN 薄膜择优取向生长的动力学理论 | 第30-31页 |
| ·氮化铝薄膜的制备 | 第31-33页 |
| ·实验装置 | 第31-32页 |
| ·基底预处理 | 第32页 |
| ·靶材预处理 | 第32-33页 |
| ·沉积条件对氮化铝薄膜生长特性的研究 | 第33-42页 |
| ·氮氩比对 AlN 薄膜生长特性的研究 | 第33-34页 |
| ·溅射功率对 AlN 薄膜生长特性的研究 | 第34-36页 |
| ·靶基距对 AlN 薄膜生长特性的研究 | 第36-37页 |
| ·氮处理对 AlN 薄膜生长特性的研究 | 第37-39页 |
| ·沉积时间对 AlN 薄膜生长特性的研究 | 第39-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第五章 结论 | 第43-45页 |
| ·结论 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |