| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| ·纳米材料及其特性 | 第8-15页 |
| ·纳米材料的基本物理效应 | 第8-10页 |
| ·纳米复合材料及特性 | 第10-13页 |
| ·纳米薄膜的制备方法 | 第13-15页 |
| ·计算材料学 | 第15-17页 |
| ·计算材料学的发展 | 第15-16页 |
| ·材料模拟计算的优越性 | 第16页 |
| ·纳米材料模拟研究的现状 | 第16-17页 |
| ·半导体/SiO_2纳米复合材料的研究现状 | 第17-19页 |
| ·半导体/SiO_2纳米颗粒镶嵌薄膜的研究 | 第17-18页 |
| ·半导体/SiO_2纳米材料常见的发光理论模型 | 第18-19页 |
| ·本论文研究意义及主要内容 | 第19-22页 |
| ·研究目的 | 第20页 |
| ·研究的意义 | 第20-21页 |
| ·主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 第一性原理及 CASTEP 的介绍 | 第22-30页 |
| ·第一性原理(FIRST–PRINCIPLES) | 第22-23页 |
| ·第一性原理的几种主要方法及其应用 | 第23-25页 |
| ·密度泛函理论法（Density functional theory ,DFT） | 第23-24页 |
| ·准粒子方程，GW 近似法 | 第24页 |
| ·Car-Parrinello 方法 | 第24-25页 |
| ·赝势和基函 | 第25-28页 |
| ·CASTEP 软件 | 第28-30页 |
| ·CASTEP 的简介 | 第28页 |
| ·CASTEP 的基本功能 | 第28-30页 |
| 第三章 单晶 SI 与 SiO_2性质的研究 | 第30-39页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·单晶SI的计算结果与讨论 | 第30-34页 |
| ·建立模型 | 第30-31页 |
| ·结构优化 | 第31-32页 |
| ·电子结构与光学性质 | 第32-34页 |
| ·SiO_2的计算结果与讨论 | 第34-37页 |
| ·建立模型 | 第34-35页 |
| ·结构优化 | 第35-37页 |
| ·电子结构与光学性质 | 第37页 |
| ·小结 | 第37-39页 |
| 第四章 纳米颗粒中的缺陷对 Si/SiO_2镶嵌薄膜性质影响的研究 | 第39-51页 |
| ·引言 | 第39-41页 |
| ·薄膜内的界面缺陷 | 第39-40页 |
| ·已有Si/SiO_2薄膜的实验分析 | 第40-41页 |
| ·薄膜的计算结果与讨论 | 第41-49页 |
| ·建立模型 | 第41-42页 |
| ·结构优化 | 第42-45页 |
| ·电子结构 | 第45-48页 |
| ·光学性质 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第五章 纳米颗粒尺寸对Si/SiO_2镶嵌薄膜性质影响的研究 | 第51-61页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·量子限域发光机制 | 第51页 |
| ·已有 Si/SiO_2薄膜的实验分析 | 第51-52页 |
| ·方石英的计算结果与讨论 | 第52-55页 |
| ·薄膜的计算结果与讨论 | 第55-60页 |
| ·建立模型 | 第55页 |
| ·结构优化 | 第55-56页 |
| ·电子结构 | 第56-58页 |
| ·光学性质 | 第58-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 个人简况及联系方式 | 第72-73页 |
