| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·透明屏蔽材料研究现状 | 第8-12页 |
| ·透明屏蔽材料分类 | 第8-9页 |
| ·薄膜型透明屏蔽材料 | 第9-10页 |
| ·互穿网络结构型透明屏蔽材料 | 第10-11页 |
| ·两种透明屏蔽材料的比较 | 第11-12页 |
| ·透明屏蔽ITO 薄膜的制备方法 | 第12-16页 |
| ·磁控溅射法 | 第12-13页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第13页 |
| ·脉冲激光法(PLD) | 第13-15页 |
| ·化学气相沉积法 | 第15页 |
| ·真空蒸发法 | 第15-16页 |
| ·选题的目的和意义 | 第16页 |
| ·论文研究的目标和主要内容 | 第16-17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 ITO 薄膜基本理论及结构性能表征 | 第18-27页 |
| ·ITO 薄膜基本理论 | 第18-20页 |
| ·ITO 薄膜的结构 | 第18页 |
| ·ITO 薄膜的透光性机理 | 第18-19页 |
| ·ITO 薄膜的导电性机理 | 第19-20页 |
| ·透明屏蔽ITO 薄膜的结构性能表征 | 第20-26页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第21页 |
| ·X 射线衍射仪(XRD) | 第21页 |
| ·X 射线能谱仪(EDS) | 第21-22页 |
| ·薄膜厚度测试仪 | 第22-23页 |
| ·四探针方阻测试仪 | 第23-25页 |
| ·薄膜透光率测试仪 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 磁控溅射法制备ITO 薄膜的工艺研究 | 第27-41页 |
| ·磁控溅射镀膜方法 | 第27-33页 |
| ·溅射原理 | 第27-28页 |
| ·溅射的种类 | 第28-30页 |
| ·平面磁控溅射技术 | 第30-32页 |
| ·溅射粒子的成膜过程 | 第32-33页 |
| ·SIV-500RD 垂直平面背靶型磁控溅射机的功能与特性 | 第33-34页 |
| ·ITO 薄膜制备的工艺过程 | 第34-35页 |
| ·衬底温度与氧氩比的研究 | 第35-39页 |
| ·实验条件 | 第35页 |
| ·实验结果及分析 | 第35-36页 |
| ·性能因数 | 第36-39页 |
| ·薄膜沉积速率的稳定性 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 ITO 薄膜透明屏蔽性能研究 | 第41-56页 |
| ·电磁屏蔽技术 | 第41-47页 |
| ·电磁波的分类 | 第41页 |
| ·电磁屏蔽性能的表征 | 第41-42页 |
| ·平板材料的屏蔽模型 | 第42-43页 |
| ·多层结构的电磁屏蔽理论 | 第43-44页 |
| ·屏蔽效能测试方法 | 第44-47页 |
| ·薄膜厚度与透明屏蔽性能关系的研究 | 第47-52页 |
| ·厚度对ITO 薄膜透光率的影响 | 第47-48页 |
| ·厚度对ITO 薄膜电阻率的影响 | 第48-50页 |
| ·厚度对ITO 薄膜电磁屏蔽效能的影响 | 第50-52页 |
| ·多层ITO 薄膜透明屏蔽性能的研究 | 第52-54页 |
| ·实验材料及工艺条件 | 第52-53页 |
| ·实验结果分析 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-57页 |
| ·全文总结 | 第56页 |
| ·展望及继续研究方向 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士期间发表论文目录 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |