| 目录 | 第1-6页 |
| CONTENTS | 第6-8页 |
| 中文摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-13页 |
| 第一章 理论研究In_2O_3的意义和本文的理论基础 | 第13-31页 |
| ·理论研究宽禁带半导体In_2O_3性能的意义 | 第14页 |
| ·理论计算基础密度泛函理论 | 第14-23页 |
| ·自洽场计算 | 第23-24页 |
| ·CASTEP软件简介 | 第24-27页 |
| ·DMol~3软件简介 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第二章 In_2O_3的结构和光学性质 | 第31-44页 |
| 摘要 | 第31页 |
| ·背景介绍 | 第31页 |
| ·计算方法 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-40页 |
| ·几何构型和电荷密度分布 | 第32-35页 |
| ·电子结构 | 第35-37页 |
| ·光学性质 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 第一性原理研究N及NH掺杂对In_2O_3光催化性质的影响 | 第44-70页 |
| 第一节 N掺杂对In_2O_3光催化的影响 | 第46-59页 |
| 摘要 | 第46页 |
| ·背景介绍 | 第46-47页 |
| ·计算方法 | 第47-48页 |
| ·数据分析和结果讨论 | 第48-58页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| 第二节 NH共掺杂立方In_2O_3的第一性原理计算 | 第59-66页 |
| 摘要 | 第59页 |
| ·背景介绍 | 第59-60页 |
| ·计算方法和模型 | 第60-61页 |
| ·结果分析 | 第61-65页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 第四章 立方In_2O_3的本征缺陷 | 第70-87页 |
| 摘要 | 第70页 |
| ·背景介绍 | 第70-71页 |
| ·计算方法 | 第71页 |
| ·结果和讨论 | 第71-84页 |
| ·缺陷形成能 | 第71-73页 |
| ·氧空位 | 第73-76页 |
| ·氧间隙 | 第76-79页 |
| ·铟空位结构和电子结构性质 | 第79-81页 |
| ·铟间隙结构和电子结构 | 第81-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 第五章 总结与展望 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第90页 |
