| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 引言 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-18页 |
| 1.氮化镓材料的发展 | 第13-14页 |
| 2.国内外AlCaN/GaN HFET器件的研究现状 | 第14-17页 |
| 3.本论文的工作及内容安排 | 第17-18页 |
| 第二章 氮化镓材料及AlGaN/GaN HFET晶体管 | 第18-29页 |
| 1.GaN材料的基本特性 | 第18-20页 |
| ·GaN晶体结构的特性 | 第18-19页 |
| ·GaN的电学特性 | 第19页 |
| ·GaN的光学特性 | 第19-20页 |
| 2.AlGaN/GaN HFET的基本结构 | 第20-24页 |
| ·衬底材料 | 第21页 |
| ·缓冲层 | 第21-22页 |
| ·GaN材料的制备 | 第22-24页 |
| 3.AlGaN/GaN HFET的工作原理 | 第24-26页 |
| 4.Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中极化与二维电子气 | 第26-29页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HFET器件仿真环境 | 第29-38页 |
| 1.TCAD工具简介 | 第29-30页 |
| 2.Sentaurus-Process工艺仿真工具 | 第30-32页 |
| 3.Sentaurus-Structure Editor器件结构编辑工具 | 第32-33页 |
| 4.Sentaurus-Device物理特性仿真工具 | 第33-35页 |
| 5.集成化的虚拟设计平台Sentaurus WorkBench | 第35-36页 |
| 6.仿真结果查看与分析工具 | 第36-38页 |
| 第四章 器件仿真物理模型 | 第38-48页 |
| 1.基本方程 | 第38-40页 |
| 2.极化效应模型 | 第40-41页 |
| 3.迁移率模型 | 第41-45页 |
| 4.复合模型 | 第45-46页 |
| 5.导带断续△Ec | 第46-48页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HFET器件特性的计算机模拟 | 第48-58页 |
| 1.器件结构及模拟 | 第48-49页 |
| 2.计算机仿真结果同实验结果的对比 | 第49-55页 |
| ·转移特性 | 第49-50页 |
| ·跨导 | 第50-51页 |
| ·输出特性曲线 | 第51-52页 |
| ·交流特性 | 第52-55页 |
| 3.AlGaN/GaN HFET器件物理特性仿真结果 | 第55-58页 |
| 第六章 AlGaN/GaN HFET器件特性分析 | 第58-71页 |
| 1.Al组分对于2DEG和器件直流特性的影响 | 第58-62页 |
| 2.AlGaN势垒层厚度对于器件特性的影响 | 第62-64页 |
| 3.应变弛豫度对于器件特性的影响 | 第64-67页 |
| 4.栅长对于AlGaN/GaN HFET器件直流特性的影响 | 第67-71页 |
| 结束语 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第79-80页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第80页 |
