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高速数字信号隔离器芯片的研究与设计

致谢第4-6页
摘要第6-7页
Abstract第7页
第1章 绪论第15-24页
    1.1.研究背景和意义第15-18页
    1.2.应用案例第18-19页
    1.3.隔离特性的国际标准规范[18]第19-20页
    1.4.隔离器的核心电气特性第20-21页
    1.5.国内外研究现状第21-23页
    1.6.设计研究难点第23页
        1.6.1.芯片耐压第23页
        1.6.2.隔离电容建模第23页
        1.6.3.信号传输第23页
    1.7.论文主要工作及内容安排第23-24页
第2章 芯片指标定义、架构规划及模块划分第24-32页
    2.1.隔离器芯片预期设计指标定义第24页
    2.2.实现隔离器耐压第24-27页
    2.3.选择信号传输架构第27页
        2.3.1.电容隔离与电感隔离第27页
        2.3.2.脉冲调制与开关键控调制第27页
    2.4.单通道架构第27-29页
    2.5.全对称式多通道架构第29-30页
    2.6.芯片全局架构第30-32页
第3章 核心模块的设计仿真、版图以及封装第32-53页
    3.1.带隙基准电路第32-38页
        3.1.1.电流比例n以及电阻值的选取第33-34页
        3.1.2.补偿电路的设计第34-35页
        3.1.3.仿真结果第35-38页
    3.2.振荡器第38-41页
        3.2.1.原理分析第39页
        3.2.2.仿真结果第39-41页
    3.3.发射机第41-45页
        3.3.1.SCHIMITT第41-42页
        3.3.2.OOK MIXER第42-43页
        3.3.3.TX仿真结果第43-45页
    3.4.接收机第45-49页
        3.4.1.前放第45-46页
        3.4.2.解调器架构第46页
        3.4.3.仿真结果第46-49页
    3.5.芯片TOP仿真结果第49-51页
        3.5.1.时序仿真PVT结果第49-50页
        3.5.2.Top仿真指标总结第50-51页
    3.6.版图设计第51页
    3.7.芯片封装及裸片照片第51-53页
第4章 测试方案与结果第53-71页
    4.1.瞬时耐压测试方案(V_(IOTM),V_(ISO))第53-56页
    4.2.工作耐压测试方案(V_(IORM),V_(IOWM))第56-57页
    4.3.浪涌测试方案(V_(IOSM))第57-59页
    4.4.CMTI测试方案第59-61页
    4.5.测试结果第61-71页
        4.5.1.耐压测试结果第61-62页
        4.5.2.时序功能测试结果第62-68页
        4.5.3.CMTI测试结果第68-70页
        4.5.4.测试结果总结与对比第70-71页
第5章 总结及展望第71-73页
    5.1.论文研究内容总结第71页
    5.2.存在的问题、解决方式以及潜在的改进方向第71-72页
    5.3.未来研究展望第72-73页
参考文献第73-76页
作者简历及在攻读硕士学位期间主要研究成果第76页

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