| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 磁性传感器材料简介 | 第11-12页 |
| 1.3 磁性材料磁电阻效应的基本原理 | 第12-13页 |
| 1.3.1 正常磁电阻效应 | 第12页 |
| 1.3.2 各向异性磁阻效应 | 第12-13页 |
| 1.4 磁性传感器的应用领域 | 第13-14页 |
| 1.5 国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.6 论文研究的意义和内容 | 第15-16页 |
| 第二章 NiFe薄膜的制备及表征方法 | 第16-25页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| 2.1.1 常用薄膜制备方法概述 | 第16页 |
| 2.1.2 磁控溅射法原理 | 第16-17页 |
| 2.1.3 磁控溅射法沉积薄膜的步骤 | 第17-18页 |
| 2.1.4 磁场气氛下NiFe薄膜的热处理 | 第18-19页 |
| 2.2 薄膜的分析、表征方法 | 第19-23页 |
| 2.2.1 台阶仪 | 第19页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第19-20页 |
| 2.2.3 震动样品磁强计(VSM) | 第20-21页 |
| 2.2.4 薄膜AMR值的测量方法 | 第21-23页 |
| 2.3 不同表面粗糙度基片的制备 | 第23-24页 |
| 2.3.1 基片表面的处理方法 | 第23-24页 |
| 2.3.2 霍尔离子源工作原理 | 第24页 |
| 2.4 小结 | 第24-25页 |
| 第三章 NiFe薄膜的工艺优化 | 第25-42页 |
| 3.1 NiFe薄膜的制备流程 | 第25-27页 |
| 3.1.1 基片的清洗 | 第25-26页 |
| 3.1.2 薄膜的制备 | 第26-27页 |
| 3.2 NiFe层厚度的选择 | 第27-30页 |
| 3.3 薄膜的测试分析 | 第30-41页 |
| 3.3.1 倾斜溅射条件下易磁化轴方向 | 第30-32页 |
| 3.3.2 真空磁场气氛热处理对易磁化轴的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.3 退火温度对NiFe薄膜AMR性能的影响 | 第33-37页 |
| 3.3.4 退火时间对薄膜AMR性能的影响 | 第37-41页 |
| 3.4 小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基片表面粗糙度对NiFe薄膜AMR性能的影响 | 第42-52页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 不同表面粗糙度基片的制备和测试 | 第42-43页 |
| 4.2.1 不同表面粗糙度基片的制备 | 第42页 |
| 4.2.2 不同表面粗糙度基片的测试 | 第42-43页 |
| 4.3 NiFe薄膜的制备和性能测试 | 第43-50页 |
| 4.3.1 NiFe薄膜的制备 | 第43-44页 |
| 4.3.2 NiFe薄膜的AMR性能和基片表面粗糙度(σ)的关系 | 第44-47页 |
| 4.3.3 薄膜的方阻和基片表面粗糙度的关系 | 第47-48页 |
| 4.3.4 薄膜的AMR值和方阻的关系 | 第48-49页 |
| 4.3.5 不同基片表面粗糙度对应的薄膜与薄膜磁滞回线的关系 | 第49-50页 |
| 4.4 小结 | 第50-52页 |
| 第五章 基于NiFe薄膜AMR效应器件化的研究 | 第52-61页 |
| 5.1 磁阻开关芯片原理 | 第52-54页 |
| 5.1.1 NiFe薄膜线条的设计 | 第52-53页 |
| 5.1.2 惠斯通电桥结构退火前后的特点 | 第53-54页 |
| 5.1.3 磁阻开关芯片工作原理 | 第54页 |
| 5.2 惠斯通电桥温度特性测试 | 第54-56页 |
| 5.3 磁阻开关芯片的制备 | 第56-60页 |
| 5.3.1 磁阻开关芯片光刻工艺 | 第56页 |
| 5.3.2 磁阻开关芯片的测试 | 第56-60页 |
| 5.4 小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结论与展望 | 第61-62页 |
| 6.1 结论 | 第61页 |
| 6.2 展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 硕士研究期间取得的成果 | 第66-67页 |
