In掺杂SrCe0.95Tm0.05O3-δ膜的稳定性和透氢量研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 钙钛矿质子导体 | 第12-20页 |
| 1.2.1 钙钛矿质子导体的发展 | 第12-13页 |
| 1.2.2 钙钛矿质子导体结构 | 第13-14页 |
| 1.2.3 钙钛矿质子导体透氢机理 | 第14-16页 |
| 1.2.3.1 质子传导机理 | 第14-15页 |
| 1.2.3.2 电子传导机理 | 第15-16页 |
| 1.2.4 钙钛矿质子导体的潜在应用 | 第16-20页 |
| 1.2.4.1 在气体传感器方面的应用 | 第17-18页 |
| 1.2.4.2 在化学反应器方面的应用 | 第18页 |
| 1.2.4.3 在固体电解质燃料电池方面的应用 | 第18-19页 |
| 1.2.4.4 在气体分离和气体制备方面的应用 | 第19-20页 |
| 1.3 混合导体研究进展 | 第20-26页 |
| 1.3.1 单相质子-电子混合导 | 第20-25页 |
| 1.3.1.1 透氢量的提高 | 第20-24页 |
| 1.3.1.2 稳定性的提高 | 第24-25页 |
| 1.3.2 双相质子-电子混合导 | 第25-26页 |
| 1.3.2.1 掺杂金属相 | 第25-26页 |
| 1.3.2.2 掺杂陶瓷相 | 第26页 |
| 1.4 本论文的研究意义和研究内容 | 第26-29页 |
| 第二章 实验部分 | 第29-34页 |
| 2.1 研究目的 | 第29页 |
| 2.2 研究内容 | 第29页 |
| 2.3 实验仪器与药品 | 第29-31页 |
| 2.3.1 实验仪器 | 第29-30页 |
| 2.3.2 实验药品 | 第30-31页 |
| 2.4 实验内容 | 第31-34页 |
| 2.4.1 膜片的制备 | 第31页 |
| 2.4.2 粉体以及膜片表征 | 第31-33页 |
| 2.4.2.1 差示扫描量热分析仪 | 第31-32页 |
| 2.4.2.2 X射线衍射分析 | 第32页 |
| 2.4.2.3 扫描电子显微镜 | 第32页 |
| 2.4.2.4 Archimede法测量密度 | 第32-33页 |
| 2.4.3 膜片的性能 | 第33-34页 |
| 2.4.3.1 稳定性试验 | 第33页 |
| 2.4.3.2 氢气渗透实验 | 第33-34页 |
| 第三章 In掺杂的SCTm膜制备及表征 | 第34-47页 |
| 3.1 前言 | 第34-35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35页 |
| 3.3 前驱体的焙烧工艺 | 第35-39页 |
| 3.4 粉体的结构与形貌 | 第39页 |
| 3.5 膜片的表征 | 第39-45页 |
| 3.5.1 In掺杂量的影响 | 第39-43页 |
| 3.5.2 烧结温度对膜片的影响 | 第43-44页 |
| 3.5.3 烧结时间对膜片的影响 | 第44-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 In掺杂的SCTm膜片的稳定性及透氢量 | 第47-57页 |
| 4.1 前言 | 第47页 |
| 4.2 实验部分 | 第47-48页 |
| 4.3 In的掺杂对SCITm膜片的稳定性的影响 | 第48-52页 |
| 4.3.1 膜片在沸水中的稳定性 | 第48-50页 |
| 4.3.2 膜片在CO_2中的稳定性 | 第50-52页 |
| 4.4 In的掺杂对SCITm膜透氢量的影响 | 第52-55页 |
| 4.5 结论 | 第55-57页 |
| 结论与展望 | 第57-60页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 展望 | 第58-60页 |
| 参引文献 | 第60-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 附件 | 第72页 |
