摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5页 |
1 绪论 | 第10-16页 |
1.1 纳米材料的特性 | 第10-11页 |
1.2 SiO_2纳米材料研究前景与国内外研究现状 | 第11-12页 |
1.3 SiO_2的结构、性质及其应用 | 第12-13页 |
1.3.1 SiO_2基本性质与结构 | 第12页 |
1.3.2 SiO_2纳米材料的应用 | 第12-13页 |
1.4 SiO_2纳米材料的制备方法 | 第13-14页 |
1.5 本文研究的主要意义 | 第14-15页 |
1.6 本研究的主要内容 | 第15-16页 |
2 实验材料与测试方法 | 第16-20页 |
2.1 实验材料 | 第16页 |
2.1.1 实验材料与保护气体 | 第16页 |
2.1.2 实验预处理 | 第16页 |
2.2 实验设备 | 第16-17页 |
2.2.1 高温管式炉 | 第16-17页 |
2.2.2 直联旋片式真空泵 | 第17页 |
2.2.3 水平电子天平称 | 第17页 |
2.2.4 超声波清洗仪 | 第17页 |
2.3 样品的表征设备及原理 | 第17-18页 |
2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第17-18页 |
2.3.2 能谱X-射线分析(EDS) | 第18页 |
2.3.3 X射线衍射谱(XRD) | 第18页 |
2.3.4 拉曼光谱(Ramam) | 第18页 |
2.3.5 光致发光光谱(PL) | 第18页 |
2.3.6 紫外-可见吸收光谱(UV) | 第18页 |
2.4 本章小结 | 第18-20页 |
3 Pt催化剂对SiO_2纳米线结构和光学性质的影响 | 第20-27页 |
3.1 引言 | 第20页 |
3.2 实验 | 第20-21页 |
3.3 结果和讨论 | 第21-25页 |
3.4 本章小结 | 第25-27页 |
4 沉积温度对热蒸发法制备SiO_2一维纳米材料的影响 | 第27-32页 |
4.1 引言 | 第27页 |
4.2 实验 | 第27页 |
4.3 结果和讨论 | 第27-30页 |
4.4 本章小结 | 第30-32页 |
5 用C作还原剂制备SiO_2纳米线 | 第32-36页 |
5.1 引言 | 第32页 |
5.2 实验 | 第32页 |
5.3 结果和讨论 | 第32-35页 |
5.4 本章小结 | 第35-36页 |
6 结论与展望 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-43页 |
作者攻读硕士学位期间的学术论文目录 | 第43-44页 |
致谢 | 第44-45页 |