| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第13-22页 |
| 1.1 课题的来源和意义 | 第13-15页 |
| 1.1.1 课题的来源 | 第13页 |
| 1.1.2 课题研究的背景和意义 | 第13-15页 |
| 1.2 单晶SiC的材料特性 | 第15页 |
| 1.3 国内外超精密加工现状分析 | 第15-20页 |
| 1.3.1 离子束抛光 | 第16-17页 |
| 1.3.2 电化学抛光 | 第17-18页 |
| 1.3.3 磁流变抛光 | 第18-19页 |
| 1.3.4 化学机械抛光 | 第19-20页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 实验仪器设备及研究方法 | 第22-33页 |
| 2.1 实验加工设备 | 第22-23页 |
| 2.2 检测设备 | 第23-26页 |
| 2.3 单晶SiC研磨加工实验 | 第26-32页 |
| 2.3.1 研磨加工原理 | 第26-28页 |
| 2.3.2 研磨加工表面检测 | 第28-30页 |
| 2.3.3 前期研磨工艺对化学机械抛光的影响 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 单晶SIC的化学机械抛光 | 第33-46页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 优选最佳硅溶胶抛光液 | 第33-40页 |
| 3.2.1 不同厂家硅溶胶稳定性分析 | 第34-35页 |
| 3.2.2 不同厂家硅溶胶对SiC的化学机械抛光 | 第35-37页 |
| 3.2.3 不同粒径硅溶胶对SiC的化学机械抛光 | 第37-40页 |
| 3.3 基于芬顿反应的SiC化学机械抛光 | 第40-43页 |
| 3.3.1 硬质与软质磨料的比较 | 第41页 |
| 3.3.2 软、硬磨料基于芬顿反应的化学机械抛光 | 第41-43页 |
| 3.4 化学机械抛光过程中材料去除机理的研究 | 第43-44页 |
| 3.4.1 Preston方程 | 第43页 |
| 3.4.2 CMP抛光中的化学作用 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 硅溶胶抛光液稳定性及对SIC化学机械抛光影响 | 第46-57页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 芬顿反应试剂对硅溶胶稳定性的影响 | 第46-53页 |
| 4.2.1 不同硅溶胶抛光液的制备 | 第47-48页 |
| 4.2.2 不同硅溶胶抛光液的光谱分析 | 第48-49页 |
| 4.2.3 不同硅溶胶抛光液的粒径分析 | 第49-51页 |
| 4.2.4 不同硅溶胶抛光液的Zeta电位分析 | 第51-53页 |
| 4.3 不同硅溶胶抛光液对SiC化学机械抛光的影响 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 单晶SIC化学机械抛光工艺研究 | 第57-70页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 CMP抛光中各因素的实验研究和优选 | 第57-67页 |
| 5.2.1 磨料浓度的影响 | 第57-59页 |
| 5.2.2 H_2O_2浓度的影响 | 第59-61页 |
| 5.2.3 抛光压力的影响 | 第61-63页 |
| 5.2.4 抛光转速的影响 | 第63-65页 |
| 5.2.5 抛光液流量的影响 | 第65-67页 |
| 5.3 最优工艺参数下硅溶胶对单晶SiC的化学机械抛光 | 第67-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
