| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 多晶体材料预熔及现状 | 第13-16页 |
| 1.3 材料预熔的数值模拟研究现状 | 第16-19页 |
| 1.4 数值计算方法的比较 | 第19-20页 |
| 1.5 问题的提出与研究内容 | 第20-23页 |
| 第二章 晶体相场模型与理论 | 第23-29页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 晶体相场模型的 | 第24-26页 |
| 2.2.1 自由能的无量纲化 | 第24-25页 |
| 2.2.2 单模近似解 | 第25-26页 |
| 2.3 应力施加过程 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 晶体相场法模拟温度和取向角对预熔的影响 | 第29-51页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 设置样品的参数 | 第29-31页 |
| 3.3 预熔化样品的组织形貌 | 第31-33页 |
| 3.3.1 样品为0,2度角时晶界形貌 | 第31-32页 |
| 3.3.2 样品为0,4度角时晶界形貌 | 第32-33页 |
| 3.4 取向角的改变对多晶预熔的影响 | 第33-48页 |
| 3.4.1 样品为0,2度取向角的模拟与分析 | 第33-40页 |
| 3.4.2 样品为0,4度取向角的模拟与分析 | 第40-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-51页 |
| 第四章 应变率大小的改变对多晶材料位错的演化研究 | 第51-64页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 样品的参数设置 | 第51-53页 |
| 4.3 应变速率的改变对多晶材料位错的影响 | 第53-63页 |
| 4.3.1 对样品F1的施加大的应变时的样品分析 | 第53-58页 |
| 4.3.2 对样品F2的施加小的应变率时的样品分析 | 第58-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第72页 |