| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 SiC材料特性简介 | 第9-11页 |
| 1.2 SiC MOSFET的发展趋势 | 第11-15页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 4H-SiC UMOS的工作机理研究 | 第17-32页 |
| 2.1 UMOS的器件结构 | 第17-19页 |
| 2.2 UMOS的工作原理 | 第19-24页 |
| 2.2.1 正向导通特性分析 | 第19-22页 |
| 2.2.2 反向击穿特性分析 | 第22-24页 |
| 2.3 4H-SiC UMOS工艺中遇到的主要问题 | 第24-31页 |
| 2.3.1 栅槽底部氧化层提前击穿 | 第24-26页 |
| 2.3.2 刻蚀底角易形成微沟槽 | 第26-27页 |
| 2.3.3 SiC氧化速率的各向异性 | 第27-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 4H-SiC UMOS的器件设计 | 第32-44页 |
| 3.1 物理模型的建立 | 第32-36页 |
| 3.2 器件仿真 | 第36-42页 |
| 3.2.1 传统SiC UMOS反向特性分析 | 第36-38页 |
| 3.2.2 有保护结构的SiC UMOS器件仿真分析 | 第38-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 ICP刻蚀 4H-SiC栅槽工艺研究 | 第44-57页 |
| 4.1 ICP刻蚀的工作原理 | 第44-46页 |
| 4.2 刻蚀实验工艺流程 | 第46-48页 |
| 4.3 不同工艺参数对刻蚀效果的影响 | 第48-54页 |
| 4.3.1 Source Power对刻蚀效果的影响 | 第48-49页 |
| 4.3.2 RF Power对刻蚀效果的影响 | 第49-51页 |
| 4.3.3 压强对刻蚀效果的影响 | 第51-53页 |
| 4.3.4 氧气含量对刻蚀效果的影响 | 第53-54页 |
| 4.4 消除微沟槽的方法探究 | 第54-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 SiC MOS电容特性研究 | 第57-69页 |
| 5.1 SiC MOS电容的制造 | 第57-62页 |
| 5.1.1 版图设计 | 第57-59页 |
| 5.1.2 栅槽刻蚀及表面处理 | 第59-60页 |
| 5.1.3 生长栅介质及金属电极 | 第60-62页 |
| 5.2 测试结果及分析 | 第62-68页 |
| 5.2.1 MOS电容I-V特性分析 | 第62-64页 |
| 5.2.2 MOS电容C-V特性分析 | 第64-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第76-77页 |
