| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 薄膜晶体管 | 第13-18页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管发展历程 | 第13-15页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管工作原理 | 第15-16页 |
| 1.2.3 主流TFT技术 | 第16-18页 |
| 1.3 a-IGZO TFT技术及其研究现状 | 第18-23页 |
| 1.3.1 a-IGZO材料特性 | 第19-22页 |
| 1.3.2 a-IGZO TFT研究热点 | 第22-23页 |
| 1.4 本文研究意义与内容 | 第23-25页 |
| 第二章 TFT器件的制作及表征方法 | 第25-34页 |
| 2.1 a-IGZO TFT器件的制备 | 第25-29页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第26页 |
| 2.1.2 电子束蒸镀 | 第26-27页 |
| 2.1.3 图形化工艺 | 第27-29页 |
| 2.2 薄膜晶体管的特性表征 | 第29-33页 |
| 2.2.1 薄膜的表征 | 第29-30页 |
| 2.2.2 薄膜晶体管器件特性的表征 | 第30-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 不同含氧量的IGZO薄膜及其器件的热稳定性研究 | 第34-43页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 不同含氧量的IGZO薄膜 | 第34-37页 |
| 3.2.1 不同含氧量IGZO单膜的表面形貌 | 第35-36页 |
| 3.2.2 不同含氧量IGZO单膜的氧元素分析 | 第36-37页 |
| 3.3 不同含氧量a-IGZO TFT器件的热稳定性研究 | 第37-42页 |
| 3.3.1 四种TFT常温下的转移特性 | 第37-39页 |
| 3.3.2 四种TFT高温下的转移特性 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 不同保护层厚度的A-IGZO TFT热稳定性研究 | 第43-51页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 不同保护层厚度的a-IGZO TFT器件制备 | 第43-45页 |
| 4.3 不同保护层厚度的器件的热稳定性 | 第45-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 基于光刻工艺的A-IGZO TFT的制备与研究 | 第51-62页 |
| 5.1 引言 | 第51页 |
| 5.2 基于光刻图形化的五道掩模版a-IGZO TFT制程 | 第51-53页 |
| 5.3 工艺优化 | 第53-57页 |
| 5.3.1 对栅极绝缘层的工艺优化 | 第54-55页 |
| 5.3.2 对半导体材料与电极接触特性优化 | 第55-57页 |
| 5.4 基于玻璃基板的a-IGZO TFT器件特性 | 第57-61页 |
| 5.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-65页 |
| 6.1 内容总结 | 第62-63页 |
| 6.2 工作展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的研究成果 | 第72-75页 |
