| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 计算物理学简介 | 第13-14页 |
| 1.2 二维半导体材料简介 | 第14-17页 |
| 1.2.1 研究背景 | 第14页 |
| 1.2.2 几种二维半导体材料 | 第14-17页 |
| 1.3 自旋电子学 | 第17-19页 |
| 1.4 磁性半导体及稀磁半导体 | 第19-21页 |
| 1.4.1 发展历程 | 第19-20页 |
| 1.4.2“d0铁磁性” | 第20-21页 |
| 1.5 研究现状分析及选题思路 | 第21-23页 |
| 第2章 基本理论和VASP软件简介 | 第23-39页 |
| 2.1 从多粒子系统的Hamilton量到Hatree-Fock近似 | 第23-26页 |
| 2.2 密度泛函理论（DFT） | 第26-31页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Ko hn定理 | 第27-28页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第28-30页 |
| 2.2.3 局域密度近似（LDA）和广义梯度近似（GGA） | 第30-31页 |
| 2.3 能带的计算方法 | 第31-35页 |
| 2.3.1 平面波法与正交化平面波法 | 第31-33页 |
| 2.3.2 赝势法 | 第33-34页 |
| 2.3.3 缀加平面波法 | 第34-35页 |
| 2.4 自洽-迭代计算 | 第35-36页 |
| 2.5 VASP软件简介 | 第36-39页 |
| 第3章 空位、反位缺陷及应力调控单层MoS2的磁性研究 | 第39-53页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 模型构建和计算方法 | 第40-41页 |
| 3.3 含有空位缺陷的单层Mo S2的计算结果与分析 | 第41-47页 |
| 3.4 含有反位缺陷的单层Mo S2的计算结果与分析 | 第47-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 非金属元素掺杂单层磷烯和蓝磷烯的磁性研究 | 第53-81页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 模型构建和计算方法 | 第53-55页 |
| 4.3 单层磷烯和蓝磷烯的计算结果及分析 | 第55-56页 |
| 4.4 非金属元素掺杂单层磷烯的计算结果及分析 | 第56-72页 |
| 4.4.1 替代掺杂单层磷烯的稳定性 | 第56-63页 |
| 4.4.2 替代掺杂单层磷烯的几何结构、电子结构及磁性 | 第63-69页 |
| 4.4.3 磁耦合 | 第69-72页 |
| 4.5 非金属元素掺杂蓝磷烯的计算结果及分析 | 第72-79页 |
| 4.5.1 替代掺杂蓝磷烯的稳定性 | 第72-74页 |
| 4.5.2 替代掺杂蓝磷烯的几何结构、电子结构及磁性 | 第74-78页 |
| 4.5.3 磁耦合 | 第78-79页 |
| 4.6 本章小结 | 第79-81页 |
| 第5章 Sc，V，Cr和Mn掺杂单层TiS3的磁性研究 | 第81-95页 |
| 5.1 引言 | 第81页 |
| 5.2 模型构建和计算方法 | 第81-82页 |
| 5.3 单层TiS3的计算结果及分析 | 第82-83页 |
| 5.4 Sc，V，Cr和Mn掺杂单层TiS3的计算结果及分析 | 第83-92页 |
| 5.4.1 替代掺杂单层TiS3的稳定性 | 第83-86页 |
| 5.4.2 替代掺杂单层TiS3的几何结构、电子结构及磁性 | 第86-89页 |
| 5.4.3 磁耦合 | 第89-92页 |
| 5.5 本章小结 | 第92-95页 |
| 结论与展望 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-117页 |
| 在学期间所取得的学术成果 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119页 |
