| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 量子点的特殊效应 | 第11-12页 |
| 1.2 量子点的结构变化历程及制备方法 | 第12-14页 |
| 1.3 过渡金属掺杂 | 第14-17页 |
| 1.3.1 掺杂过渡金属的选择 | 第15页 |
| 1.3.2 Mn~(2+)掺杂的优点 | 第15-16页 |
| 1.3.3 Mn~(2+)掺杂CdSe量子点的特点 | 第16-17页 |
| 1.4 QLED器件 | 第17-18页 |
| 1.5 研究课题的提出及目的 | 第18-20页 |
| 第2章 CdSe量子点的油相制备及其性能的研究 | 第20-32页 |
| 2.1 实验试剂与仪器 | 第20-21页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第20页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第20-21页 |
| 2.2 实验部分 | 第21-23页 |
| 2.2.1 实验步骤装置 | 第21-22页 |
| 2.2.2 CdSe量子点合成实验 | 第22-23页 |
| 2.3 量子点的测量量子产率方法和主要表征 | 第23-25页 |
| 2.3.1 量子产率的计算方法 | 第23-24页 |
| 2.3.2 紫外可见分光光度计表征 | 第24-25页 |
| 2.3.3 荧光分光光度计表征 | 第25页 |
| 2.3.4 透射电镜表征 | 第25页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第25-31页 |
| 2.4.1 不同Cd:Se的比例对CdSe量子点光学性能的影响 | 第25-29页 |
| 2.4.2 不同反应时间对CdSe量子点光学性能的影响 | 第29-30页 |
| 2.4.3 最优比例的纯CdSe量子点表征 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 化学成分梯度CdSe/Cd_(1-x)Zn_xSe_(1-y)S_y/ZnS量子点合成及性能研究 | 第32-47页 |
| 3.1 实验试剂与仪器 | 第32-33页 |
| 3.1.1 实验试剂 | 第32页 |
| 3.1.2 实验仪器 | 第32-33页 |
| 3.2 实验部分 | 第33-35页 |
| 3.2.1 化学成分梯度量子点制备 | 第33-34页 |
| 3.2.2 同比例普通壳核量子点制备 | 第34-35页 |
| 3.2.3 单峰的普通壳核量子点制备 | 第35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-46页 |
| 3.3.1 不同Cd:Se配比的化学成分梯度量子点 | 第36-38页 |
| 3.3.2 不同Zn:S配比的化学成分梯度量子点性能 | 第38-40页 |
| 3.3.3 不同时间对化学成分梯度量子点的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.4 化学成分梯度量子点的表征 | 第42-43页 |
| 3.3.5 相同比例的普通壳核结构量子点 | 第43-44页 |
| 3.3.6 单峰的普通壳核量子点 | 第44-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 CdSe/Mn:Cd_(1-x)Zn_xSe_(1-y)S_y/ZnS量子点的合成及其性能研究 | 第47-54页 |
| 4.1 实验试剂与仪器 | 第47-48页 |
| 4.1.1 实验试剂 | 第47-48页 |
| 4.1.2 实验仪器 | 第48页 |
| 4.2 实验部分 | 第48-49页 |
| 4.2.1 硬脂酸锰(MnSt_2)制备 | 第48页 |
| 4.2.2 掺锰化学成分梯度CdSe/ZnS壳核量子点制备 | 第48-49页 |
| 4.3 掺锰化学成分梯度量子点合成机理分析 | 第49-50页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第50-53页 |
| 4.4.1 不同反应时间对掺锰化学成分梯度量子点的影响 | 第50-51页 |
| 4.4.2 特殊的量子产率变化 | 第51-52页 |
| 4.4.3 最优比例的掺Mn梯度量子点表征 | 第52-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 半导体量子点QLED器件组装 | 第54-64页 |
| 5.1 实验试剂与仪器 | 第54-55页 |
| 5.1.1 实验试剂 | 第54-55页 |
| 5.1.2 实验仪器 | 第55页 |
| 5.2 器件组装 | 第55-58页 |
| 5.2.1 器件结构和机理 | 第55-56页 |
| 5.2.2 利用溶胶凝胶法制备ZnO纳米颗粒溶液 | 第56-57页 |
| 5.2.3 QLED器件制备过程 | 第57-58页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第58-63页 |
| 5.3.1 CdSe/Cd_(1-x)Zn_xSe_(1-y)S_y/ZnS量子点制备的QLED器件 | 第58-60页 |
| 5.3.2 CdSe/Mn:Cd_(1-x)Zn_xSe_(1-y)S_y/ZnS量子点制备的QLED器件 | 第60-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第6章 总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 个人简历 | 第76-77页 |
| 读研期间所发表的论文及研究成果 | 第77-78页 |
