| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.2 白光LED研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 偏振LED研究现状 | 第11-13页 |
| 1.4 偏振白光研究现状 | 第13-17页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 纳米光栅的理论及设计方法 | 第19-28页 |
| 2.1 等效介质理论 | 第19-20页 |
| 2.2 表面等离子激元的概念和特性 | 第20-24页 |
| 2.3 时域有限差分 （FDTD） | 第24-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 基于纳米光栅及荧光陶瓷的偏振白光LED理论设计 | 第28-36页 |
| 3.1 引言 | 第28-30页 |
| 3.2 高效偏振白光LED理论设计 | 第30-35页 |
| 3.2.1 过渡层的厚度对透过率及消光比的影响 | 第30-31页 |
| 3.2.2 介质光栅高度对透过率及消光比的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.3 金属光栅高度对透过率及消光比的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.4 介质光栅占空比对透过率及消光比的影响 | 第33页 |
| 3.2.5 偏振白光LED理论优化结果 | 第33-34页 |
| 3.2.6 多层纳米光栅结构中不同偏振态的能量传输分析 | 第34-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 集成式GaN基偏振白光LED实验研究 | 第36-49页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 实验工艺流程介绍 | 第36-40页 |
| 4.2.1 衬底处理 | 第36-37页 |
| 4.2.2 纳米压印工艺 | 第37-39页 |
| 4.2.3 刻蚀技术 | 第39-40页 |
| 4.3 实验制备 | 第40-48页 |
| 4.3.1 荧光陶瓷材料特性及表面镀膜 | 第40-41页 |
| 4.3.2 纳米压印 | 第41-46页 |
| 4.3.3 残胶去除 | 第46页 |
| 4.3.4 刻蚀镀膜 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 GaN基白光LED偏振特性测量 | 第49-55页 |
| 5.1 偏振测试原理 | 第49-53页 |
| 5.2 偏振白光LED角度适应性检测 | 第53-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 总结 | 第55-56页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |